--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Dual-N+P
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### AP2030M-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
AP2030M-VB是一款雙N+P溝道MOSFET,采用先進(jìn)的Trench技術(shù)制造,適用于需要同時(shí)控制正負(fù)電壓的應(yīng)用。其封裝為SOP8,具有良好的熱管理和電氣性能,適合在需要高效能功率開(kāi)關(guān)和電源管理的設(shè)計(jì)中使用。
### AP2030M-VB 參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類(lèi)型**:SOP8
- **配置**:雙N+P溝道
- **漏源電壓(VDS)**:±30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.6V / -1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- N溝道:24mΩ @ VGS = 4.5V, 18mΩ @ VGS = 10V
- P溝道:50mΩ @ VGS = 4.5V, 40mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流(ID)**:±8A
- **技術(shù)**:Trench

### AP2030M-VB 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **電源管理模塊**:
AP2030M-VB適用于需要同時(shí)處理正負(fù)電壓的電源管理模塊。其雙N+P溝道設(shè)計(jì)能夠有效地控制和調(diào)節(jié)電源中的正負(fù)電流,例如在筆記本電腦和平板電腦電源適配器中,能夠提供高效率的功率轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出。
2. **電動(dòng)汽車(chē)充電器**:
在電動(dòng)汽車(chē)充電器中,AP2030M-VB可以用作直流-直流轉(zhuǎn)換器(DC-DC Converter)的關(guān)鍵部件。其能夠處理高壓和高電流,同時(shí)確保電動(dòng)汽車(chē)的充電效率和安全性。
3. **電動(dòng)工具和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器**:
在電動(dòng)工具和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中,AP2030M-VB可以用于電池管理系統(tǒng)和電機(jī)控制。其雙N+P溝道結(jié)構(gòu)提供了靈活的電流控制選項(xiàng),適合于需要高效能和精確控制的應(yīng)用場(chǎng)合。
4. **工業(yè)自動(dòng)化**:
在工業(yè)控制和自動(dòng)化系統(tǒng)中,AP2030M-VB可以用作PLC(可編程邏輯控制器)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的電源管理器件。其能夠提供可靠的功率開(kāi)關(guān)和電源轉(zhuǎn)換,有助于提高設(shè)備的效率和生產(chǎn)能力。
通過(guò)以上描述,可以看出AP2030M-VB在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中有著廣泛的應(yīng)用前景,其雙N+P溝道設(shè)計(jì)和先進(jìn)的Trench技術(shù)制造使其成為各種功率電子設(shè)計(jì)中的理想選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛