--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 DIP8
- 溝道 Dual-N+P
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
AP4578GD-VB 是一款雙路 N 溝道和 P 溝道 MOSFET,采用 DIP8 封裝。它具有高耐壓和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn),適用于需要高性能開關(guān)和功率管理的應(yīng)用。
### 2. 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **包裝類型:** DIP8
- **配置:** 雙-N+P-溝道
- **耐壓(VDS):** ±60V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** ±2V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):**
- 4.5V時(shí):N溝道 47mΩ,P溝道 60mΩ
- 10V時(shí):N溝道 42mΩ,P溝道 55mΩ
- **漏極電流(ID):** 最大值分別為 4.7A(N 溝道),-4A(P 溝道)
- **技術(shù)特點(diǎn):** Trench 結(jié)構(gòu)

### 3. 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
- **電源管理:** 由于其高耐壓特性和適中的導(dǎo)通電阻,AP4578GD-VB 可用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和逆變器的關(guān)鍵部分。
- **電動(dòng)工具:** 在需要承受高電流和高壓的電動(dòng)工具中,AP4578GD-VB 可作為主要的功率開關(guān)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。
- **照明控制:** 在LED 照明系統(tǒng)和其他照明控制應(yīng)用中,其低導(dǎo)通電阻和高效能特性有助于提高系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。
- **工業(yè)自動(dòng)化:** 作為工業(yè)控制系統(tǒng)中的電源開關(guān)和驅(qū)動(dòng)器,確保設(shè)備的可靠運(yùn)行和快速響應(yīng)。
這些示例展示了 AP4578GD-VB 在多種高性能應(yīng)用中的潛力,通過(guò)其優(yōu)異的電氣特性和可靠性,為工業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域的電路設(shè)計(jì)提供了重要支持。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛