--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介詳細(xì):
AP4880AGM-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用Trench技術(shù)。其主要技術(shù)參數(shù)如下:
- **包裝類型:** SOP8
- **配置:** 單N溝道
- **最大漏極-源極電壓(VDS):** 30V
- **最大柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):**
- 11mΩ @ VGS = 4.5V
- 8mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID):** 13A

### 詳細(xì)參數(shù)說明:
1. **包裝類型和配置:** SOP8 封裝,適合于中等功率密度和高頻開關(guān)設(shè)計(jì),適用于各種電路布局需求。
2. **電氣特性:**
- **廣泛的電壓范圍:** 支持最大30V的漏極-源極電壓(VDS)和±20V的柵極-源極電壓(VGS),適合于多種電源管理和開關(guān)電路應(yīng)用。
- **低導(dǎo)通電阻:** 在不同的柵極-源極電壓下(4.5V和10V),分別為11mΩ和8mΩ,提供了低功耗和高效率的操作。
- **高漏極電流:** 最大漏極電流(ID)達(dá)到13A,適用于處理中等到大功率負(fù)載。
3. **技術(shù)優(yōu)勢:**
- **Trench 技術(shù):** 增強(qiáng)了導(dǎo)通能力和熱穩(wěn)定性,適合于高頻率開關(guān)和高效能量轉(zhuǎn)換的要求。
### 應(yīng)用示例:
AP4880AGM-VB MOSFET適用于以下領(lǐng)域和模塊:
- **電源管理:** 在低電壓DC-DC轉(zhuǎn)換器、電源適配器和穩(wěn)壓器中,通過其低導(dǎo)通電阻和高漏極電流,實(shí)現(xiàn)高效率的能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出。
- **電池管理:** 在便攜式設(shè)備和電動(dòng)工具中,作為電池管理電路的開關(guān)元件,確保電池充放電過程中的有效能量管理和保護(hù)。
- **LED驅(qū)動(dòng):** 用于LED驅(qū)動(dòng)器和照明電路中,能夠提供精確的電流控制和高效的能量轉(zhuǎn)換,以增強(qiáng)LED照明系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。
- **汽車電子:** 在汽車電子系統(tǒng)中,如汽車燈光控制、電動(dòng)窗控制和電動(dòng)座椅調(diào)節(jié)中,提供可靠的開關(guān)功能和高效的電力管理。
這些示例展示了AP4880AGM-VB在不同領(lǐng)域中的多功能使用,展現(xiàn)了其在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中的重要性和靈活性。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛