--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Dual-P+P
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介詳
**AP5521GM-VB** 是一款雙通道(P+P通道)MOSFET,采用SOP8封裝。它設(shè)計用于高壓和中等電流應(yīng)用,具有較低的導(dǎo)通電阻和高效能特性。該器件適用于需要可靠性和高效能的功率管理和開關(guān)設(shè)計。
### 詳細參數(shù)說明
| 參數(shù) | 數(shù)值 |
| ---- | ---- |
| 封裝 | SOP8 |
| 配置 | Dual-P+P-Channel |
| 漏源電壓 (VDS) | -100V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±20V |
| 門限電壓 (Vth) | -2V |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) @ VGS=4.5V | 155mΩ |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) @ VGS=10V | 110mΩ |
| 連續(xù)漏極電流 (ID) | -4.5A |
| 技術(shù) | Trench |

### 適用領(lǐng)域和模塊
**AP5521GM-VB** 具有優(yōu)秀的電流承載能力和較低的導(dǎo)通電阻,適用于以下領(lǐng)域和模塊:
1. **高壓電源管理**
- **逆變器**:在高壓逆變器中,AP5521GM-VB可以用作功率開關(guān)器件,提供穩(wěn)定的電源轉(zhuǎn)換和高效能的電流傳輸。
- **太陽能逆變器**:用于太陽能發(fā)電系統(tǒng)中的逆變器模塊,確保太陽能電池板產(chǎn)生的直流電有效地轉(zhuǎn)換為交流電。
2. **工業(yè)電子**
- **電源管理模塊**:在工業(yè)自動化系統(tǒng)中,該MOSFET可以用于電源管理模塊,提供高效能和可靠的電流控制。
- **電動機驅(qū)動器**:適用于工業(yè)電動機驅(qū)動器的功率開關(guān)部分,處理高電壓和中等電流負載。
3. **電信設(shè)備**
- **基站電源模塊**:在電信基站的電源模塊中,AP5521GM-VB可以提供高效能的電源管理,確保設(shè)備的穩(wěn)定運行。
- **網(wǎng)絡(luò)設(shè)備**:適用于路由器、交換機等網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的電源管理和開關(guān)應(yīng)用,提高設(shè)備的可靠性和能效。
4. **汽車電子**
- **電動汽車電源系統(tǒng)**:在電動汽車的電源管理系統(tǒng)中,該MOSFET可以用作電池管理和功率開關(guān)器件,處理高電壓和中等電流條件。
通過以上示例,可以看出AP5521GM-VB是一款適用于高壓電源管理和開關(guān)應(yīng)用的高性能MOSFET器件,特別適合于逆變器、工業(yè)電子、電信設(shè)備和汽車電子等領(lǐng)域的應(yīng)用。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12