--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TSSOP8
- 溝道 Dual-P+P
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### AP6923O-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
AP6923O-VB是一款TSSOP8封裝的雙P+P-通道MOSFET,具有負(fù)向漏源電壓能力和低導(dǎo)通電阻,適用于需要高效能和可靠性的負(fù)電源管理和開關(guān)控制應(yīng)用。
### AP6923O-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TSSOP8
- **配置**:雙P+P-通道
- **漏源電壓(VDS)**:-30V
- **柵源電壓(VGS)**:20(±V)
- **閾值電壓(Vth)**:-1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- 55mΩ @ VGS=4.5V
- 36mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:-5.2A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
AP6923O-VB適用于以下領(lǐng)域和模塊:
1. **筆記本電腦電源管理**:在筆記本電腦和移動(dòng)設(shè)備的電源管理電路中,AP6923O-VB可以作為負(fù)電源開關(guān)和電池管理系統(tǒng)的控制器,確保電池充放電的安全和高效率。
2. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**:在各種消費(fèi)電子產(chǎn)品中,如平板電腦、智能手機(jī)和可穿戴設(shè)備中,AP6923O-VB可以用于電源管理、充電控制和功率開關(guān),提供穩(wěn)定的電源輸出和長(zhǎng)時(shí)間的電池續(xù)航。
3. **工業(yè)控制系統(tǒng)**:在工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)中,AP6923O-VB可以用作工業(yè)電子設(shè)備的電源開關(guān)和電壓調(diào)節(jié)器,確保設(shè)備的可靠運(yùn)行和穩(wěn)定的電源供應(yīng)。
4. **車載電子系統(tǒng)**:在汽車和其他車輛的電子控制單元中,AP6923O-VB可以用于電動(dòng)車輛的電池管理系統(tǒng)、電動(dòng)窗控制和座椅調(diào)節(jié)等模塊的電源管理和控制。
AP6923O-VB因其負(fù)向漏源電壓能力和高性能,在多個(gè)領(lǐng)域中都能提供可靠的解決方案,滿足負(fù)電源管理和開關(guān)控制的各種應(yīng)用需求。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛