--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252
- 溝道 Single-P
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### AP9578H-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
AP9578H-VB 是一款單 P 溝道功率 MOSFET,采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù)制造,具有高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻。其封裝為 TO252,適合在各種功率電子應(yīng)用中進(jìn)行高效能量轉(zhuǎn)換和電路控制。
### AP9578H-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO252
- **配置**:單 P 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:-60V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:-1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 72mΩ @ VGS=4.5V
- 61mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:-30A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
AP9578H-VB 適用于以下領(lǐng)域和模塊:
1. **電池管理和電源逆變器**:在電動汽車、電動工具和UPS系統(tǒng)中,AP9578H-VB 可以用于電池管理、電源逆變和電流控制,提供高效能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電壓輸出。
2. **電動汽車充電器**:在電動車充電設(shè)備中,該 MOSFET 可以實(shí)現(xiàn)高功率轉(zhuǎn)換和電能管理,提高充電效率和系統(tǒng)的安全性。
3. **電源開關(guān)**:在高功率電源開關(guān)系統(tǒng)中,AP9578H-VB 可以提供可靠的功率開關(guān)和電流控制功能,確保電路的穩(wěn)定性和效率,適用于桌面電源、服務(wù)器電源和工業(yè)電源模塊。
4. **工業(yè)自動化**:在工業(yè)機(jī)械控制和自動化系統(tǒng)中,該器件可以應(yīng)用于高功率電機(jī)驅(qū)動和電源管理,提升設(shè)備的運(yùn)行效率和可靠性。
5. **LED 驅(qū)動器**:在高功率 LED 照明系統(tǒng)中,AP9578H-VB 可以用作 LED 驅(qū)動器的功率開關(guān),提供精確的電流控制和穩(wěn)定的電壓輸出,增強(qiáng)照明系統(tǒng)的性能和壽命。
通過以上應(yīng)用示例,可以看出 AP9578H-VB MOSFET 在多個領(lǐng)域和模塊中都具有廣泛的應(yīng)用潛力,為現(xiàn)代電子產(chǎn)品提供了高效和可靠的功率管理解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它