--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO251
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
AP9T15GJ-HF-VB 是一款單路N溝道MOSFET,采用先進(jìn)的槽道結(jié)構(gòu)技術(shù),具備低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,適用于中功率電子應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **包裝類(lèi)型:** TO251
- **配置:** 單路N溝道
- **漏極-源極電壓(VDS):** 30V
- **門(mén)極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **門(mén)極閾值電壓(Vth):** 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):**
- 9mΩ @ VGS=4.5V
- 7mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID):** 50A
- **技術(shù)特點(diǎn):** 槽道結(jié)構(gòu)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
AP9T15GJ-HF-VB 在以下領(lǐng)域和模塊中有廣泛的應(yīng)用:
1. **電源管理和電源適配器:** 由于其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,適用于電源適配器、充電器和便攜式電子設(shè)備中的開(kāi)關(guān)電源管理。能夠提供高效率的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的輸出電流。
2. **電動(dòng)工具和電動(dòng)車(chē)輛:** 在中功率的電動(dòng)工具、電動(dòng)車(chē)輛控制器和充電系統(tǒng)中,AP9T15GJ-HF-VB 提供可靠的電流控制和高效的熱管理,確保設(shè)備的長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行和性能穩(wěn)定。
3. **汽車(chē)電子和LED驅(qū)動(dòng)器:** 用于汽車(chē)電子系統(tǒng)中的電動(dòng)窗控制、LED照明系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)器等應(yīng)用,能夠滿足高功率密度和環(huán)境適應(yīng)性的要求。
4. **工業(yè)控制和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng):** 在工業(yè)自動(dòng)化控制設(shè)備、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器和電磁閥控制器中,AP9T15GJ-HF-VB 提供了高效的電能轉(zhuǎn)換和快速的開(kāi)關(guān)特性,支持高功率輸出和精準(zhǔn)的控制需求。
這些示例展示了 AP9T15GJ-HF-VB 在多個(gè)中功率電子應(yīng)用領(lǐng)域中的廣泛適用性,其優(yōu)異的電性能和可靠性使其成為設(shè)計(jì)師在解決功率管理和電流控制問(wèn)題時(shí)的理想選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛