--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252-4L
- 溝道 Common Drain-N+P
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 1. 產(chǎn)品簡介
APM4048DU4C-TRG-VB 是一款雙通道 MOSFET,結(jié)合了 N 溝道和 P 溝道設(shè)計,采用先進的 Trench 技術(shù)制造。該器件適用于需要同時控制正負(fù)極性電壓的應(yīng)用場合,如電源開關(guān)、功率轉(zhuǎn)換器和驅(qū)動器。
### 2. 參數(shù)說明
- **型號**: APM4048DU4C-TRG-VB
- **封裝**: TO252-4L
- **結(jié)構(gòu)**: 共源極 N+P 溝道
- **耐壓 (VDS)**: ±40V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V (N-Channel), -1.7V (P-Channel)
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- N 溝道:
- 14mΩ @ VGS = 4.5V
- 16mΩ @ VGS = 10V
- P 溝道:
- 14mΩ @ VGS = -4.5V
- 16mΩ @ VGS = -10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**: ±50A
- **技術(shù)**: Trench

### 3. 應(yīng)用示例
APM4048DU4C-TRG-VB 在以下領(lǐng)域和模塊中有廣泛的應(yīng)用:
- **電源管理**: 用于高效能和高密度的開關(guān)電源系統(tǒng),例如服務(wù)器電源、電信設(shè)備和工業(yè)電源系統(tǒng)中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和功率開關(guān)。
- **電動車充電**: 作為電動車充電系統(tǒng)中的功率開關(guān)器件,用于直流快速充電站和車輛充電管理系統(tǒng)中,提供高效能的功率轉(zhuǎn)換和管理。
- **工業(yè)自動化**: 在工業(yè)機器人、PLC 控制系統(tǒng)和自動化設(shè)備中,用作電機驅(qū)動器和工業(yè)控制系統(tǒng)中的功率開關(guān),確保設(shè)備高效穩(wěn)定運行。
- **電池管理**: 在便攜式電池設(shè)備、無線設(shè)備和消費電子產(chǎn)品中,作為電池保護和電源管理的關(guān)鍵組件,延長電池壽命并提高設(shè)備的運行效率。
APM4048DU4C-TRG-VB 的設(shè)計特性使其能夠在多種要求嚴(yán)格的應(yīng)用中提供可靠的功率轉(zhuǎn)換和控制解決方案,為現(xiàn)代電子設(shè)備和系統(tǒng)提供了高效能和高性能的選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12