--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Dual-N+P
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### AUIRF7309QTRPBF-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
AUIRF7309QTRPBF-VB 是一款集成雙 N 通道和 P 通道 MOSFET 的半導(dǎo)體器件,采用 SOP8 封裝。該 MOSFET 具有 ±30V 的漏源電壓(VDS)能力和 ±20V 的柵源電壓(VGS),適用于各種開關(guān)和電源管理應(yīng)用。其閾值電壓(Vth)為 1.6V(N 通道)和 -1.7V(P 通道),確保在低柵電壓下即可有效開啟。AUIRF7309QTRPBF-VB 的導(dǎo)通電阻在 VGS=10V 下分別為 18mΩ(N 通道)和 40mΩ(P 通道),提供優(yōu)異的電流傳輸效率。此 MOSFET 適合用于需要高效開關(guān)和電源管理的電子產(chǎn)品中。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝:** SOP8
- **配置:** 雙 N 通道 + P 通道
- **漏源電壓(VDS):** ±30V
- **柵源電壓(VGS):** ±20V
- **N 通道閾值電壓(Vth):** 1.6V
- **P 通道閾值電壓(Vth):** -1.7V
- **N 通道導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 24mΩ @ VGS=4.5V
- **N 通道導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 18mΩ @ VGS=10V
- **P 通道導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 50mΩ @ VGS=4.5V
- **P 通道導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 40mΩ @ VGS=10V
- **連續(xù)漏極電流(ID):** ±8A
- **技術(shù):** 溝槽型(Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域示例
AUIRF7309QTRPBF-VB 的雙 MOSFET 設(shè)計(jì)使其在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中具有廣泛的應(yīng)用:
1. **電源管理:**
- **開關(guān)電源:** 該 MOSFET 適用于開關(guān)電源模塊中,N 通道和 P 通道的配合可以有效控制電源的開關(guān)狀態(tài),確保高效的電源轉(zhuǎn)換和管理。
- **電源分配:** 在電源分配電路中,AUIRF7309QTRPBF-VB 能夠高效地控制電源的開關(guān),減少能量損失,提高系統(tǒng)的整體效率。
2. **便攜式設(shè)備:**
- **電池管理:** 該 MOSFET 可用于便攜式設(shè)備中的電池管理系統(tǒng),控制電池的充放電過程,確保電池的安全和高效使用。
- **功率開關(guān):** 在便攜式電子設(shè)備中,AUIRF7309QTRPBF-VB 可用于功率開關(guān)功能,提供高效的電流控制和開關(guān)操作,延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命。
3. **汽車電子:**
- **電動(dòng)汽車控制:** 在電動(dòng)汽車中,該 MOSFET 可用于電機(jī)控制系統(tǒng),提供高效的開關(guān)功能,控制電機(jī)的工作狀態(tài),提升電動(dòng)車的性能和效率。
- **車載電源管理:** 在車載電源管理系統(tǒng)中,AUIRF7309QTRPBF-VB 可以作為電源開關(guān)使用,處理高電流負(fù)載,確保汽車電源系統(tǒng)的穩(wěn)定和可靠。
4. **工業(yè)控制:**
- **負(fù)載開關(guān):** 在工業(yè)控制系統(tǒng)中,AUIRF7309QTRPBF-VB 可以用于負(fù)載開關(guān)應(yīng)用,控制高功率負(fù)載的開關(guān)狀態(tài),提高系統(tǒng)的操作效率。
- **電機(jī)驅(qū)動(dòng):** 該 MOSFET 適合用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),提供高效的電流控制和開關(guān)功能,保證電機(jī)的平穩(wěn)運(yùn)行和高效操作。
5. **消費(fèi)電子:**
- **電池保護(hù)電路:** 在消費(fèi)電子產(chǎn)品中,AUIRF7309QTRPBF-VB 可用于電池保護(hù)電路,防止過流和短路,保護(hù)電池和電子設(shè)備的安全。
- **功率管理電路:** 在消費(fèi)電子設(shè)備的功率管理電路中,該 MOSFET 可以有效地控制電流流動(dòng),提升電源管理的效率和穩(wěn)定性。
AUIRF7309QTRPBF-VB 的雙 MOSFET 設(shè)計(jì)、低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其在各種高效開關(guān)和電源管理應(yīng)用中表現(xiàn)出色,特別適用于電源管理、便攜式設(shè)備、汽車電子、工業(yè)控制和消費(fèi)電子等領(lǐng)域。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛