--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
AUIRFR024NTRPBF-VB是一款高效能N溝道MOSFET,采用TO252封裝,基于先進(jìn)的溝槽技術(shù)(Trench Technology)。這款MOSFET專(zhuān)為中等電壓應(yīng)用設(shè)計(jì),提供穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)性能和良好的電流處理能力。它的低導(dǎo)通電阻使其在電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色,特別適合需要可靠性和高效率的電子設(shè)備和系統(tǒng)。
### 詳細(xì)規(guī)格
- **封裝類(lèi)型**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **門(mén)限電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 85mΩ @ VGS = 4.5V
- 73mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 18A
- **技術(shù)**: 溝槽技術(shù)(Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例
1. **電源管理**:AUIRFR024NTRPBF-VB在電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異,適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和開(kāi)關(guān)電源。其低導(dǎo)通電阻有助于減少功率損耗,提高電源的整體效率,從而提升系統(tǒng)的性能和可靠性。
2. **負(fù)載開(kāi)關(guān)**:該MOSFET可以作為負(fù)載開(kāi)關(guān)使用,適合用于電器和電子設(shè)備的開(kāi)關(guān)控制。例如,在家用電器和計(jì)算機(jī)配件中,可以利用它進(jìn)行高效的負(fù)載開(kāi)關(guān),從而優(yōu)化電源的使用。
3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在小功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,AUIRFR024NTRPBF-VB能夠提供穩(wěn)定的電流控制。其適合用于小型電動(dòng)工具、電風(fēng)扇等設(shè)備,確保電機(jī)的高效運(yùn)行和精確控制。
4. **LED驅(qū)動(dòng)電路**:在LED照明系統(tǒng)中,這款MOSFET可以用于LED驅(qū)動(dòng)電路,提供穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)性能和較低的功耗。其優(yōu)良的電流處理能力和低導(dǎo)通電阻有助于提高LED的亮度和使用壽命。
5. **汽車(chē)電子**:AUIRFR024NTRPBF-VB適用于汽車(chē)電子系統(tǒng),如電動(dòng)窗戶、座椅調(diào)節(jié)系統(tǒng)等。它能夠滿足汽車(chē)電子設(shè)備對(duì)高效能和可靠性的需求,保證設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。
6. **充電器和逆變器**:在充電器和逆變器中,AUIRFR024NTRPBF-VB的低導(dǎo)通電阻和穩(wěn)定性能可以提高系統(tǒng)的電力轉(zhuǎn)換效率,減少能量損耗,確保設(shè)備的高效運(yùn)作。
AUIRFR024NTRPBF-VB在中等電壓應(yīng)用中提供了良好的性能,適用于各種需要可靠開(kāi)關(guān)和高效率的電子系統(tǒng),使其成為電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域的理想選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性?xún)r(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛