--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
**AUIRFR4104TRR-VB** 是一款高性能的單N通道MOSFET,采用TO252封裝,具有優(yōu)異的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻。其最大漏極源極電壓(VDS)為40V,門源極電壓(VGS)范圍為±20V。該MOSFET具有2.5V的門檻電壓(Vth),在VGS=4.5V時導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為6mΩ,在VGS=10V時RDS(ON)為5mΩ。該器件支持85A的最大連續(xù)漏極電流(ID),采用Trench技術(shù)制造,適用于高效能和低功耗應(yīng)用場景。
### 參數(shù)說明
- **型號**: AUIRFR4104TRR-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N通道
- **最大漏極源極電壓(VDS)**: 40V
- **最大門源極電壓(VGS)**: ±20V
- **門檻電壓(Vth)**: 2.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS=4.5V
- 5mΩ @ VGS=10V
- **最大連續(xù)漏極電流(ID)**: 85A
- **技術(shù)**: Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電源管理**: 該MOSFET廣泛應(yīng)用于電源開關(guān)模塊,特別是在高電流和低功耗的電源轉(zhuǎn)換電路中,由于其低導(dǎo)通電阻能夠顯著提高轉(zhuǎn)換效率并減少功耗。
2. **電動汽車**: 在電動汽車的電池管理系統(tǒng)中,AUIRFR4104TRR-VB的高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其成為理想選擇,能夠有效控制電池充放電過程中的電流流動。
3. **LED驅(qū)動**: 適用于LED驅(qū)動電路中,能夠提供穩(wěn)定的電流以保證LED的正常工作,并且減少由于開關(guān)損耗引起的熱量生成。
4. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**: 在DC-DC轉(zhuǎn)換器中,MOSFET的低RDS(ON)特性能夠提高轉(zhuǎn)換效率,降低能量損失,適合用于高效率的開關(guān)電源設(shè)計中。
5. **功率放大器**: 在功率放大器模塊中,AUIRFR4104TRR-VB可用于高功率信號的開關(guān)控制,優(yōu)化功率傳輸并提高系統(tǒng)的整體性能。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它