--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
AUIRFR8401TRR-VB 是一款采用 TO252 封裝的單極性 N 溝道 MOSFET,具有高達(dá) 40V 的漏源電壓和 120A 的連續(xù)漏電流能力。該 MOSFET 使用 Trench 技術(shù),具有極低的 RDS(ON) 值,適用于高電流和高效率開關(guān)應(yīng)用。
### 參數(shù)說明
- **型號**:AUIRFR8401TRR-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:單極性 N 溝道 MOSFET
- **漏源電壓 (VDS)**:40V
- **柵源電壓 (VGS)**:20V (±)
- **柵源閾值電壓 (Vth)**:3V
- **RDS(ON)**:3mΩ (VGS = 4.5V),1.6mΩ (VGS = 10V)
- **漏電流 (ID)**:120A
- **技術(shù)**:Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊
AUIRFR8401TRR-VB 的高電流承載能力和極低的導(dǎo)通電阻使其非常適合用于高功率密度的應(yīng)用。例如,在電動汽車的動力系統(tǒng)中,它能夠處理高電流,提升整體系統(tǒng)的效率;在服務(wù)器電源管理中,它可用于優(yōu)化電源的開關(guān)性能,降低功耗;在大型工業(yè)電源模塊中,它能夠提供可靠的高電流開關(guān)能力,保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性和高效運(yùn)行。
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