--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO262
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
**AUIRFSL3607-VB** 是一款高效單通道 N 溝道 MOSFET,封裝形式為 TO-262。采用 Trench 技術(shù),提供高電流和低導(dǎo)通電阻的性能,適用于高功率和高效能的電子應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**:AUIRFSL3607-VB
- **封裝**:TO-262
- **配置**:單通道 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:80V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 4.5V VGS 時(shí):10mΩ
- 10V VGS 時(shí):6mΩ
- **最大漏電流 (ID)**:85A
- **技術(shù)**:Trench 技術(shù)

### 適用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **高功率電源管理**:AUIRFSL3607-VB 在高功率電源管理系統(tǒng)中應(yīng)用,如開關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,提供高效的電流開關(guān)和低導(dǎo)通損耗。
2. **電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)**:適用于電機(jī)驅(qū)動模塊,能夠處理高電流負(fù)載,適合電動車和工業(yè)電機(jī)的速度控制和功率調(diào)節(jié)。
3. **電動汽車和混合動力車**:在電動汽車和混合動力車的電池管理系統(tǒng)(BMS)中,AUIRFSL3607-VB 提供穩(wěn)定的電流控制,支持高效的能量轉(zhuǎn)換和管理。
4. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**:在高性能消費(fèi)電子產(chǎn)品中,如游戲主機(jī)和高功率計(jì)算機(jī)設(shè)備,提供穩(wěn)定的電源開關(guān)功能,提高設(shè)備的運(yùn)行效率和穩(wěn)定性。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛