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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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B1100L-VB一種TO263封裝Single-N-Channel場效應(yīng)管

型號: B1100L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

B1100L-VB 是一款高性能單極 N 通道 MOSFET,封裝為 TO263。該 MOSFET 采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù),具有 100V 的漏極源極電壓(VDS)和 100A 的連續(xù)漏極電流(ID)。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS 為 4.5V 時(shí)為 23mΩ,在 VGS 為 10V 時(shí)為 10mΩ,提供良好的開關(guān)性能和低導(dǎo)通損耗。閾值電壓(Vth)為 2.5V,VGS 范圍為 ±20V,確保廣泛應(yīng)用的穩(wěn)定性和可靠性。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: B1100L-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單極 N 通道
- **漏極源極電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 23mΩ @ VGS = 4.5V
 - 10mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊示例

B1100L-VB 適用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **高電壓電源管理**: 在高電壓電源轉(zhuǎn)換器中使用,以提供穩(wěn)定的開關(guān)性能和高效的電源管理。
2. **電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)**: 用于電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中,作為高電流開關(guān),控制電機(jī)的啟停和運(yùn)行。
3. **電源保護(hù)**: 在電源保護(hù)電路中應(yīng)用,確保電流過載時(shí)的保護(hù)和斷開。
4. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**: 在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中作為開關(guān)組件,提升轉(zhuǎn)換效率并減少能量損耗。

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