**1. 產(chǎn)品簡介：**

BSC340N08NS3 G-VB 是一款高耐壓 N-Channel MOSFET，封裝為 DFN8(5x6)。它采用 Trench 技術，具備高電壓承受能力和較低的導通電阻，適用于高電壓和高電流的應用場景。

**2. 詳細參數(shù)說明：**

- **封裝**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單極性 N-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 100V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 17mΩ（在 VGS=10V 時）
- **漏極電流 (ID)**: 30A
- **技術**: Trench

**3. 應用領域舉例：**

BSC340N08NS3 G-VB 適用于高電壓電源管理系統(tǒng)，如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電源保護電路、電機驅(qū)動和高電壓開關模塊。其高耐壓和低導通電阻特性使其在高電壓場景中具有出色的開關性能，適合用于需要處理較高電壓和電流的電子設計。