中科君芯JFG14N40B ?40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET?是種特定的功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）主要應(yīng)用在電池管理 、系統(tǒng)與電源管理，MOSFET由于其低導(dǎo)通電阻、大電流能力和邏輯電平驅(qū)動(dòng)的特性，特別適用于需要高效、大電流驅(qū)動(dòng)的電路，如汽車(chē)電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域?。其關(guān)鍵參數(shù)和特性如下：

功能特性：

設(shè)備額定電壓VDS:=40V,連續(xù)工作時(shí)漏極電流上限 ID = 150A
導(dǎo)通電阻=2.7mΩ (typ.) 柵源電壓= 10V, 漏極電流 = 20A
?專(zhuān)有高密度溝槽技術(shù)
符合RoHS和無(wú)鹵素 （不含鹵素或鹵素含量極低的材料或產(chǎn)品）
封裝：TO-220-3L
電氣特性：

?VDS（Drain-Source Voltage）?：40V
?VGS（Gate-Source Voltage）?：±20V
?ID（Continuous Drain Current）?：Tc=25°對(duì)應(yīng)最大漏極電流上限150A,Tc=100°對(duì)應(yīng)漏極電流上限最大值95A
?IDM（Pulsed Drain Current）：600A
PD（Total Power Dissipation）?：TC = 25℃ 對(duì)應(yīng)1.4W,TA = 25℃對(duì)應(yīng)2.15W
EAS單脈沖雪崩能量:150mJ
RθJA(Junction to Ambient (mounted on 1 inch square PCB)熱阻:58C\W
RθJC:結(jié)到殼的熱阻:1.2°C\W
?TJ?\TSTG?:-55 to +150°C
除非另有說(shuō)明，TC=25℃

————其他詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)聯(lián)系深圳市泰凌微電子有限公司團(tuán)隊(duì)————————————