91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 79 粉絲

BUK754R3-40B-VB一種Single-N溝道TO220封裝MOS管

型號(hào): BUK754R3-40B-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 6mΩ@VGS=10V
  • ID 110A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

BUK754R3-40B-VB 是一款高性能單 N 溝道 MOSFET,采用 TO220 封裝。該器件基于先進(jìn)的溝槽技術(shù),提供低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,非常適用于高功率和高效率的開關(guān)應(yīng)用。BUK754R3-40B-VB 以其出色的電流承載能力和可靠性,成為高功率電子電路中的理想選擇。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: BUK754R3-40B-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 40V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 7mΩ @ VGS = 4.5V
 - 6mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 110A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **高效開關(guān)電源**:由于其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,BUK754R3-40B-VB 是開關(guān)電源 (SMPS) 的理想選擇。它能夠顯著提高電源的轉(zhuǎn)換效率,并減少功耗,適用于各種高功率電源設(shè)備,如計(jì)算機(jī)電源、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備電源和電信電源。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**:這款 MOSFET 可以處理高達(dá) 110A 的電流,非常適合用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊,例如工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備和電動(dòng)工具。它提供穩(wěn)定且高效的電流控制,保證系統(tǒng)的性能和可靠性。

3. **電池管理系統(tǒng)**:在電池管理系統(tǒng)中,BUK754R3-40B-VB 的低導(dǎo)通電阻有助于優(yōu)化電池的充放電過程,提高系統(tǒng)的整體效率和可靠性,特別適用于電動(dòng)汽車、儲(chǔ)能系統(tǒng)和智能電池管理系統(tǒng)。

4. **光伏逆變器**:該 MOSFET 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其適用于光伏逆變器的開關(guān)部分。它能提升光伏系統(tǒng)的整體效率和穩(wěn)定性,確保系統(tǒng)在各種工作條件下都能高效運(yùn)行。

5. **高功率開關(guān)應(yīng)用**:憑借其卓越的開關(guān)性能,BUK754R3-40B-VB 適用于各種高功率開關(guān)應(yīng)用,如大功率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和高頻開關(guān)設(shè)備。它能夠有效減少功耗并提升系統(tǒng)性能,廣泛應(yīng)用于工業(yè)、消費(fèi)電子和能源管理領(lǐng)域。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    495瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    419瀏覽量