91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

BUK7609-75A-VB一種Single-N溝道TO263封裝MOS管

型號(hào): BUK7609-75A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 80V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 6mΩ@VGS=10V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

BUK7609-75A-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET,采用TO263封裝形式。這款器件具有80V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),適用于各種高電壓應(yīng)用。其門限電壓(Vth)為3V,在VGS=4.5V時(shí)導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為10mΩ,在VGS=10V時(shí)導(dǎo)通電阻為6mΩ。BUK7609-75A-VB 能夠承受高達(dá)120A的連續(xù)漏極電流,采用了Trench技術(shù),提供優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能和低導(dǎo)通損耗,非常適合高效率和高功率密度的應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類型 (Package)**: TO263
- **器件類型 (Configuration)**: 單N溝道 (Single-N-Channel)
- **漏源電壓 (VDS)**: 80V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **門限電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 10mΩ @ VGS=4.5V
 - 6mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **高功率電源轉(zhuǎn)換**: BUK7609-75A-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其非常適用于高功率DC-DC轉(zhuǎn)換器和開(kāi)關(guān)電源(SMPS)。這些應(yīng)用中,該器件能夠有效減少功率損耗,提高電源的整體效率。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**: 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制系統(tǒng)中,BUK7609-75A-VB 能夠提供穩(wěn)定且高效的電流支持,適用于各種電機(jī)控制模塊,如步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和直流電機(jī)控制器。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻確保電機(jī)運(yùn)行的平穩(wěn)和高效。

3. **汽車電子**: 該MOSFET也適用于汽車電子應(yīng)用,例如電池管理系統(tǒng)、電動(dòng)窗戶控制和LED照明等。其高電壓和高電流特性能夠滿足汽車電子對(duì)可靠性和性能的嚴(yán)格要求。

4. **功率放大器**: BUK7609-75A-VB 是高功率功率放大器的理想選擇。它能夠處理高功率負(fù)載并優(yōu)化功率輸出,適用于廣播、通信和高功率音頻放大器等應(yīng)用。

這些應(yīng)用場(chǎng)景展示了BUK7609-75A-VB在高功率電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、汽車電子和功率放大等領(lǐng)域的廣泛適用性,使其成為高性能電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    533瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    457瀏覽量