--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO263
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 40V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 1.4mΩ@VGS=10V
- ID 280A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### BUK762R0-40C-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
BUK762R0-40C-VB 是一款高性能單 N 通道功率 MOSFET,封裝在 TO263 封裝中,設(shè)計用于高電流和高效能的應(yīng)用。該 MOSFET 的 VDS(漏源電壓)為 40V,VGS(柵源電壓)范圍為 ±20V,能夠在中等電壓條件下穩(wěn)定運(yùn)行。其閾值電壓(Vth)為 3V,確保在較低柵電壓下也能可靠地導(dǎo)通。BUK762R0-40C-VB 的 RDS(ON) 為 1.68mΩ @ VGS=4.5V 和 1.4mΩ @ VGS=10V,支持最大連續(xù)漏電流(ID)為 280A。該器件采用 Trench 技術(shù),提供超低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)良的開關(guān)性能,適合用于高功率和高效能的應(yīng)用場景。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
1. **封裝:** TO263
2. **配置:** 單N通道
3. **VDS(漏源電壓):** 40V
4. **VGS(柵源電壓):** ±20V
5. **Vth(閾值電壓):** 3V
6. **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻):**
- 1.68mΩ @ VGS=4.5V
- 1.4mΩ @ VGS=10V
7. **ID(連續(xù)漏電流):** 280A
8. **技術(shù):** Trench
### 應(yīng)用領(lǐng)域和使用場景
BUK762R0-40C-VB MOSFET 由于其超低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,適合用于多個領(lǐng)域和模塊:
1. **電源管理:** 適用于高功率開關(guān)模式電源(SMPS)和服務(wù)器電源,提供高效的能量轉(zhuǎn)換和低功耗,滿足大功率電源需求。
2. **電動汽車:** 在電動汽車(EV)驅(qū)動系統(tǒng)中使用,處理高電流并確保高效的電力傳輸,提高電動汽車的整體性能和續(xù)航能力。
3. **電機(jī)驅(qū)動:** 在工業(yè)和消費(fèi)電子中的電機(jī)控制應(yīng)用中,支持大功率電機(jī)的精確控制和調(diào)節(jié),提高系統(tǒng)效率和可靠性。
4. **電池管理:** 在電池管理系統(tǒng)中,用于高電流電池的充放電控制,確保電池的安全性和長壽命,特別適合高功率電池組。
5. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器:** 在高功率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中使用,提供穩(wěn)定的電壓轉(zhuǎn)換,適合用于高效能電源解決方案。
6. **負(fù)載開關(guān):** 在高電流負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中提供可靠的開關(guān)性能,適合用于工業(yè)設(shè)備、計算機(jī)硬件以及其他高功率應(yīng)用。
這些示例展示了 BUK762R0-40C-VB MOSFET 的多用途和在高電流、高效率應(yīng)用中的可靠性,使其在各種要求高功率、高效能的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它