--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 200V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 55mΩ@VGS=10V
- ID 30A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介 - IPD320N20N3 G-VB
IPD320N20N3 G-VB 是一款高效的單N溝道功率MOSFET,采用TO252封裝,專為高壓、高電流應(yīng)用設(shè)計。其典型的擊穿電壓為200V,柵極驅(qū)動電壓為 ±20V。該器件基于Trench(溝槽)技術(shù),具有低導通電阻(RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V)和高導通電流能力(30A),適用于高效能電源管理和快速開關(guān)需求。
### 詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO252
- **溝道類型**:單N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**:200V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:55mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:30A
- **技術(shù)類型**:Trench(溝槽)技術(shù)
- **熱阻**:具有低熱阻特性,適合高功率應(yīng)用
### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例
1. **開關(guān)電源(SMPS)**
IPD320N20N3 G-VB 的高電壓特性和低導通電阻,使其非常適合在高效開關(guān)電源中使用。它能提高電源轉(zhuǎn)換效率,減少功耗,同時承受更高的工作電壓,適應(yīng)各種工業(yè)和消費類電子設(shè)備的電源管理需求。
2. **電機驅(qū)動與控制**
該MOSFET的高電流承受能力和低開關(guān)損耗使其在電機驅(qū)動模塊中表現(xiàn)出色,尤其是在電動工具、工業(yè)機器人以及家用電器的電機控制模塊中。
3. **逆變器與光伏系統(tǒng)**
在光伏逆變器應(yīng)用中,IPD320N20N3 G-VB 可處理較高的直流電壓,提升能量轉(zhuǎn)換效率,廣泛應(yīng)用于光伏系統(tǒng)的直流/交流逆變模塊中。
4. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**
它在電池管理系統(tǒng)中能夠幫助管理高電流負載,尤其是在電動汽車或儲能設(shè)備中,提供安全的電源控制和保護功能。
5. **不間斷電源系統(tǒng)(UPS)**
在UPS中,IPD320N20N3 G-VB 提供可靠的開關(guān)性能,確保在電源故障時能夠迅速切換供電,保持設(shè)備的正常運行。
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