91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

IPD50R380CE-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPD50R380CE-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 370mΩ@VGS=10V
  • ID 11A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPD50R380CE-VB 產(chǎn)品簡介  
IPD50R380CE-VB 是一款高壓單N溝道MOSFET,采用TO252封裝。該MOSFET專為高電壓應(yīng)用設(shè)計,具有650V的最大漏源電壓和高達(dá)11A的漏極電流承載能力。其柵源電壓范圍為±30V,柵極閾值電壓為3.5V,導(dǎo)通電阻為370mΩ(在VGS=10V時)。采用SJ_Multi-EPI技術(shù),這款MOSFET提供了優(yōu)異的耐壓性能和穩(wěn)定性,非常適合用于需要高耐壓和高可靠性的應(yīng)用場合。

### 二、IPD50R380CE-VB 詳細(xì)參數(shù)說明  
- **封裝類型**:TO252  
- **配置**:單N溝道  
- **漏源電壓 (VDS)**:650V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V  
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:370mΩ@VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**:11A  
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI(多晶硅技術(shù))  
- **其他特性**:高耐壓、良好的熱穩(wěn)定性,適合高壓應(yīng)用。

### 三、IPD50R380CE-VB 的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例  
1. **電源開關(guān)**:由于其高達(dá)650V的耐壓能力,IPD50R380CE-VB 非常適合用于高壓電源開關(guān),如AC-DC轉(zhuǎn)換器和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。它可以有效地管理高電壓電源,同時保持穩(wěn)定的性能和低功耗。

2. **逆變器**:在太陽能逆變器和其他高功率逆變器應(yīng)用中,該MOSFET的高耐壓和較高電流承載能力使其成為理想的選擇。它能夠承受高壓工作環(huán)境中的應(yīng)力,確保逆變器的高效運(yùn)行。

3. **電動工具**:在需要高電壓控制的電動工具中,例如電動鉆或電鋸,IPD50R380CE-VB 可以用作開關(guān)控制器。其高耐壓性能和穩(wěn)定性確保了工具的安全和可靠性。

4. **工業(yè)電源**:在工業(yè)電源系統(tǒng)中,該MOSFET可以用于高壓電源的開關(guān)和保護(hù)功能。它的高耐壓特性能夠應(yīng)對工業(yè)應(yīng)用中的高電壓環(huán)境,提供穩(wěn)定的電源管理。

這些領(lǐng)域中的應(yīng)用充分利用了IPD50R380CE-VB 的高耐壓和穩(wěn)定性,使其在需要處理高電壓和高功率的場合中表現(xiàn)出色。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    533瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    457瀏覽量