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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPF135N03LG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPF135N03LG-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
IPF135N03LG-VB是一款高性能單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專(zhuān)為需要高電流和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用設(shè)計(jì)。它具有30V的最大漏源電壓(VDS),適用于低至中等電壓的應(yīng)用環(huán)境。該MOSFET支持±20V的柵源電壓(VGS),具有1.7V的開(kāi)啟閾值電壓(Vth),可以在較低的柵電壓下有效導(dǎo)通。IPF135N03LG-VB采用Trench技術(shù),擁有極低的導(dǎo)通電阻,分別為9mΩ(@VGS=4.5V)和7mΩ(@VGS=10V),能夠承受高達(dá)70A的漏極電流。這使得它在需要高電流和低功耗的應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

### 參數(shù)說(shuō)明:
- **封裝類(lèi)型**:TO252
- **溝道配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **開(kāi)啟閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 9mΩ @ VGS=4.5V
 - 7mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:70A
- **技術(shù)類(lèi)型**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊:
1. **高效電源管理**:IPF135N03LG-VB因其極低的導(dǎo)通電阻而適用于高效電源管理系統(tǒng),如高效率DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC轉(zhuǎn)換器。在這些應(yīng)用中,它可以提供低功耗和高效的電源轉(zhuǎn)換,提升整體系統(tǒng)的性能和能源利用效率。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:該MOSFET適用于需要高電流的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),如電動(dòng)汽車(chē)電機(jī)和工業(yè)電機(jī)控制器。其高電流承受能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠有效驅(qū)動(dòng)電機(jī)并保證系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行。

3. **開(kāi)關(guān)電源模塊**:IPF135N03LG-VB可以用于開(kāi)關(guān)電源模塊中,包括計(jì)算機(jī)電源和充電器。其低導(dǎo)通電阻減少了開(kāi)關(guān)損耗,提高了電源轉(zhuǎn)換效率和系統(tǒng)穩(wěn)定性。

4. **負(fù)載開(kāi)關(guān)**:在負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,如高功率負(fù)載控制和電源分配系統(tǒng),該MOSFET能夠提供高電流和低功耗的開(kāi)關(guān)控制,確保可靠的開(kāi)關(guān)操作和高效的電源分配。

5. **汽車(chē)電子**:在汽車(chē)電子系統(tǒng)中,例如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)和電池管理系統(tǒng),IPF135N03LG-VB能夠處理大電流需求,提供穩(wěn)定的電流控制和高效的開(kāi)關(guān)性能,支持汽車(chē)電子系統(tǒng)的高效運(yùn)作。

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