--- 產品參數 ---
- Package TO262
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 200V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 38mΩ@VGS=10V
- ID 45A
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、IPI320N20N3 G-VB 產品簡介
IPI320N20N3 G-VB 是一款高電壓、單極 N 溝道 MOSFET,采用 TO262 封裝,設計用于高電流及中高電壓的電源開關和控制應用。它的漏源擊穿電壓高達 200V,漏極電流最大可達 45A,采用了 Trench 溝槽技術,確保在高電壓條件下仍保持低導通電阻和高效的開關性能。IPI320N20N3 G-VB 適用于多種高功率電子模塊,能夠在嚴苛的電氣條件下提供穩(wěn)定的性能。
### 二、IPI320N20N3 G-VB 詳細參數說明
- **封裝類型**:TO262
- **溝道配置**:單極 N 溝道
- **漏源擊穿電壓 (VDS)**:200V
- **柵極驅動電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 38mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**:45A
- **技術**:Trench(溝槽技術)
### 三、應用領域與模塊舉例
1. **光伏逆變器**:
在光伏發(fā)電系統(tǒng)中,逆變器需要處理高電壓和大電流的轉換,IPI320N20N3 G-VB 的 200V 耐壓能力和低導通電阻使其能夠在高效光伏逆變器中工作,從而最大化電能轉換效率。
2. **工業(yè)電機驅動**:
該 MOSFET 在工業(yè)電機驅動中的應用尤為突出,特別是需要精確控制高電流的環(huán)境。IPI320N20N3 G-VB 的高電流承載能力和快速開關性能,使其在工業(yè)電機控制模塊中提供卓越的效率和可靠性。
3. **開關電源 (SMPS)**:
在開關電源設計中,該 MOSFET 提供了快速的開關響應和低能耗特點,尤其在中高功率的 DC-DC 轉換器、AC-DC 轉換器中具有良好表現,有助于提升系統(tǒng)的整體效率。
4. **電動工具與電動汽車充電設備**:
電動工具和充電設備需要 MOSFET 能夠處理高電流和快速切換的需求。IPI320N20N3 G-VB 能夠應對這些需求,確保高效的電能傳輸和穩(wěn)定的電路性能,延長設備的使用壽命。
這種產品非常適合于需要高電壓、高電流開關和控制的工業(yè)和消費電子應用,能夠在各種高效能電路中提供可靠的功率管理。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:51
產品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:48
產品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:47
產品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:44
產品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:42
產品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:40
產品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:36
產品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:31
產品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:28
產品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:25
產品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12