--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 3mΩ@VGS=10V
- ID 210A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
IPP040N06N3 G-VB 是一款高性能單N溝道 MOSFET,采用 TO220 封裝,專為高電流和高效率應(yīng)用設(shè)計。該 MOSFET 的漏源電壓(VDS)為60V,柵源電壓(VGS)為±20V,閾值電壓(Vth)為3V。它在 VGS=10V 時的導(dǎo)通電阻僅為3mΩ,能夠支持高達(dá)210A的漏極電流(ID)?;谙冗M(jìn)的 Trench 技術(shù),IPP040N06N3 G-VB 提供了極低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的電流處理能力,非常適合于高功率開關(guān)和高效率電源應(yīng)用。
### 參數(shù)說明
1. **封裝類型**:TO220
2. **配置**:單N溝道
3. **漏源電壓 (VDS)**:60V
4. **柵源電壓 (VGS)**:±20V
5. **閾值電壓 (Vth)**:3V
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 3mΩ @ VGS=10V
- 9mΩ @ VGS=4.5V
7. **漏極電流 (ID)**:210A
8. **技術(shù)**:Trench技術(shù)
9. **總柵極電荷 (Qg)**:低,適合快速開關(guān)
10. **功耗 (Ptot)**:適合高功率應(yīng)用
11. **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C
12. **結(jié)溫 (Tj)**:可承受高溫操作
### 適用領(lǐng)域和模塊
1. **高效能電源開關(guān)**:IPP040N06N3 G-VB 的極低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其在高效能電源開關(guān)模塊中表現(xiàn)出色,例如高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 AC-DC 電源適配器。它能夠顯著降低功率損耗,提高電源轉(zhuǎn)換效率,適用于高功率電源設(shè)計。
2. **電動汽車和電池管理系統(tǒng)**:在電動汽車和電池管理系統(tǒng)中,該 MOSFET 能夠處理大電流負(fù)載,提供穩(wěn)定的開關(guān)性能。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻確保電池管理系統(tǒng)的高效能和可靠性,特別適用于電池開關(guān)和電動機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)。
3. **工業(yè)控制和電機(jī)驅(qū)動**:在工業(yè)控制系統(tǒng)和電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中,IPP040N06N3 G-VB 能夠提供穩(wěn)定的性能和高效的開關(guān)功能。由于其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,它適合用于控制高功率負(fù)載,如工業(yè)電機(jī)驅(qū)動和負(fù)載開關(guān)。
4. **消費電子產(chǎn)品**:在高功率消費電子產(chǎn)品(如高功率充電器、功率放大器等)中,這款 MOSFET 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力有助于提高設(shè)備的整體能效,特別適用于需要高效能和高功率控制的電子設(shè)備。
IPP040N06N3 G-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其在高效能電源開關(guān)、電動汽車、電池管理系統(tǒng)、工業(yè)控制以及消費電子產(chǎn)品等領(lǐng)域中表現(xiàn)卓越,能夠有效提升系統(tǒng)的效率和可靠性。
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