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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPP052N06L3-VB一款TO220封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPP052N06L3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 3mΩ@VGS=10V
  • ID 210A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**IPP052N06L3-VB** 是一款高性能的N溝道MOSFET,采用TO220封裝。這款MOSFET利用先進(jìn)的Trench技術(shù),具備出色的電氣性能和高耐壓能力。其設(shè)計(jì)旨在滿(mǎn)足高電流和高效率的應(yīng)用需求,特別適合用于需要高開(kāi)關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻的電源管理、開(kāi)關(guān)電源和其他功率電子應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: IPP052N06L3-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單N溝道 (Single-N-Channel)
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 60V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 9mΩ @ VGS = 4.5V
 - 3mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 210A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **電源管理**:
  IPP052N06L3-VB由于其低RDS(ON)和高ID的特性,非常適合用于電源管理模塊中,如開(kāi)關(guān)電源(SMPS)和DC-DC轉(zhuǎn)換器。它能有效降低導(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。

2. **電動(dòng)汽車(chē)**:
  在電動(dòng)汽車(chē)中,這款MOSFET可以用于高電流的功率轉(zhuǎn)換和電池管理系統(tǒng)。其高耐壓和低導(dǎo)通電阻特性有助于提高電動(dòng)汽車(chē)的動(dòng)力傳輸效率和續(xù)航能力。

3. **功率放大器**:
  在功率放大器應(yīng)用中,IPP052N06L3-VB可用于高功率的開(kāi)關(guān)控制,保證了高效的開(kāi)關(guān)速度和穩(wěn)定的電流傳輸,適合用于音頻放大器和射頻功率放大器中。

4. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  由于其高ID和低導(dǎo)通電阻,IPP052N06L3-VB可以用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊。它能夠提供強(qiáng)大的開(kāi)關(guān)能力,適用于電機(jī)控制系統(tǒng)中的高電流開(kāi)關(guān)需求,從而提升電機(jī)驅(qū)動(dòng)的效率和可靠性。

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