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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPP126N10N3 G-VB一款TO220封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPP126N10N3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 9mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPP126N10N3 G-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IPP126N10N3 G-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,封裝形式為 TO220。其設(shè)計(jì)具有優(yōu)異的高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻,適用于需要高效能電流管理的應(yīng)用。該 MOSFET 的最大漏源電壓為 100V,能夠承載最大漏極電流 100A。在 VGS = 4.5V 條件下,其導(dǎo)通電阻為 20mΩ,在 VGS = 10V 時(shí)為 9mΩ。該器件采用溝槽型(Trench)技術(shù),提供了出色的開(kāi)關(guān)性能和低功耗特性,廣泛適用于各種高功率電子設(shè)備和電源管理系統(tǒng)。

### 二、IPP126N10N3 G-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類型**:TO220
- **配置**:?jiǎn)螛O N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:100V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **開(kāi)啟閾值電壓 (Vth)**:2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 20mΩ @ VGS = 4.5V
 - 9mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**:100A
- **技術(shù)類型**:溝槽型(Trench)技術(shù)
- **耗散功率 (Ptot)**:約 150W(具體取決于散熱條件)
- **熱阻 (RthJC)**:1.0℃/W(結(jié)到殼)
- **工作溫度范圍**:-55℃ 到 175℃

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **高效開(kāi)關(guān)電源(SMPS)**:IPP126N10N3 G-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其非常適合用于高效開(kāi)關(guān)電源的主要開(kāi)關(guān)元件。它能顯著減少功率損耗,并確保高效的電流轉(zhuǎn)換,適合用于服務(wù)器電源、工業(yè)電源等高性能電源系統(tǒng)。

2. **電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)**:在電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,這款 MOSFET 可以作為電機(jī)控制開(kāi)關(guān),支持高電流電機(jī)的高效驅(qū)動(dòng),同時(shí)降低能量損耗,提高系統(tǒng)的總體效率和可靠性。

3. **電池管理系統(tǒng)**:該 MOSFET 適用于電池管理系統(tǒng)中的功率開(kāi)關(guān)模塊,能夠有效處理高電流負(fù)載,提供穩(wěn)定的電流管理,同時(shí)保護(hù)電池免受過(guò)電流影響。

4. **工業(yè)設(shè)備**:在各種工業(yè)設(shè)備中,如直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)、自動(dòng)化設(shè)備和高功率控制系統(tǒng),IPP126N10N3 G-VB 能夠?qū)崿F(xiàn)高效的電流開(kāi)關(guān),確保設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行并提高整體系統(tǒng)效率。

5. **太陽(yáng)能逆變器**:在光伏發(fā)電系統(tǒng)的逆變器中,這款 MOSFET 能夠用來(lái)高效地轉(zhuǎn)換直流電到交流電,支持高功率轉(zhuǎn)換,同時(shí)維持低能量損耗,適用于大規(guī)模光伏發(fā)電系統(tǒng)。

通過(guò)其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻,IPP126N10N3 G-VB 是各種高功率和高效能應(yīng)用的理想選擇,能夠在多種領(lǐng)域提供可靠的性能和效率。

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