91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

IPP260N06N3 G-VB一款TO220封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPP260N06N3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 24mΩ@VGS=10V
  • ID 50A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介(IPP260N06N3 G-VB)

IPP260N06N3 G-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,封裝為 TO-220。該 MOSFET 設(shè)計(jì)用于中等電壓和電流應(yīng)用,具有 60V 的擊穿電壓和高達(dá) 50A 的最大連續(xù)漏極電流。采用 Trench 技術(shù),這款 MOSFET 提供了較低的導(dǎo)通電阻,適用于需要良好開(kāi)關(guān)性能和穩(wěn)定性的應(yīng)用。其低開(kāi)啟電壓和高效能使其成為各種電子和電力管理系統(tǒng)中的理想選擇。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝**:TO-220  
- **配置**:?jiǎn)?N 溝道  
- **擊穿電壓 VDS**:60V  
- **柵源電壓 VGS**:±20V  
- **開(kāi)啟電壓 Vth**:1.7V  
- **導(dǎo)通電阻 RDS(ON)**:
 - 28mΩ@VGS = 4.5V
 - 24mΩ@VGS = 10V  
- **最大連續(xù)漏極電流 ID**:50A  
- **技術(shù)**:Trench 技術(shù)  

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:IPP260N06N3 G-VB 在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中可用于高效的功率開(kāi)關(guān)。其較低的導(dǎo)通電阻有助于降低功率損耗,提高電源轉(zhuǎn)換效率,適用于電源管理系統(tǒng)和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場(chǎng)合。

2. **電動(dòng)工具**:在電動(dòng)工具的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中,該 MOSFET 可用于高效的開(kāi)關(guān)控制。其適中的電流承載能力和低導(dǎo)通電阻確保了工具在高功率應(yīng)用中的穩(wěn)定性和高效性。

3. **汽車電子**:在汽車電子系統(tǒng)中,IPP260N06N3 G-VB 可用于電機(jī)控制和負(fù)載開(kāi)關(guān)等應(yīng)用。其高效的開(kāi)關(guān)性能和可靠性適合用于汽車電源管理和高功率負(fù)載的控制。

4. **工業(yè)自動(dòng)化**:在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中,該 MOSFET 可用于控制電機(jī)、加熱器和其他高功率負(fù)載。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其能夠穩(wěn)定地處理各種工業(yè)應(yīng)用中的電流需求。

5. **充電器和電力調(diào)節(jié)**:IPP260N06N3 G-VB 還適用于高功率充電器和電力調(diào)節(jié)器。其較低的導(dǎo)通電阻有助于提高充電效率和減少熱損耗,從而確保設(shè)備的長(zhǎng)期穩(wěn)定性和高效運(yùn)行。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    527瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    449瀏覽量