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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPP60R190C6-VB一款TO220封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPP60R190C6-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 160mΩ@VGS=10V
  • ID 20A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介  
**IPP60R190C6-VB** 是一款高壓?jiǎn)蜰溝道MOSFET,采用TO220封裝。該產(chǎn)品具備650V的高漏極電壓(VDS)和±30V的柵源電壓(VGS)承受能力,適合用于需要高可靠性和高效率的電力電子應(yīng)用。其設(shè)計(jì)基于超級(jí)結(jié)(Super Junction)多層外延技術(shù)(SJ_Multi-EPI),提供低導(dǎo)通電阻和出色的開(kāi)關(guān)性能,使其特別適合需要高頻開(kāi)關(guān)的場(chǎng)景,如開(kāi)關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品的主要特點(diǎn)是較低的導(dǎo)通電阻160mΩ(在VGS為10V時(shí)),并能夠承受高達(dá)20A的漏極電流,確保高效的功率轉(zhuǎn)換。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明  
- **封裝**:TO220  
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道  
- **漏源電壓(VDS)**:650V  
- **柵源電壓(VGS)**:±30V  
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:160mΩ @ VGS = 10V  
- **漏極電流(ID)**:20A  
- **技術(shù)**:超級(jí)結(jié)多層外延(SJ_Multi-EPI)  
- **最大功率耗散**:根據(jù)封裝和散熱設(shè)計(jì)而定,但通常在合適散熱條件下,TO220封裝可支持較高的功率處理能力。  
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 +150°C  

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊  
1. **開(kāi)關(guān)電源(SMPS)**  
  IPP60R190C6-VB 廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)中,尤其是在需要高效率和快速開(kāi)關(guān)的應(yīng)用中。這類電源廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、消費(fèi)類電子設(shè)備、電信設(shè)備以及工業(yè)控制系統(tǒng)中。MOSFET的低導(dǎo)通電阻和高耐壓性能,使其在高功率密度設(shè)計(jì)中表現(xiàn)優(yōu)異。

2. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**  
  該型號(hào)適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器,特別是應(yīng)用于電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、服務(wù)器電源模塊和分布式供電架構(gòu)中。這些應(yīng)用需要快速的開(kāi)關(guān)速度和低開(kāi)關(guān)損耗,以提高系統(tǒng)的整體效率。

3. **逆變器和不間斷電源(UPS)**  
  在逆變器和UPS系統(tǒng)中,IPP60R190C6-VB可用于實(shí)現(xiàn)高效的AC-DC和DC-AC轉(zhuǎn)換,尤其是在需要高電壓和穩(wěn)定性的工業(yè)和商業(yè)環(huán)境中。其650V的高耐壓能力確保其能夠在高壓操作條件下穩(wěn)定工作。

4. **照明系統(tǒng)**  
  該型號(hào)MOSFET還適用于LED驅(qū)動(dòng)器和HID照明系統(tǒng)等領(lǐng)域,這些領(lǐng)域通常需要高效率、低功耗的電源管理器件以確保照明的長(zhǎng)期穩(wěn)定性和壽命。

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