--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 500mΩ@VGS=10V
- ID 9A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、IPP60R600CP-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IPP60R600CP-VB 是一款采用 TO220 封裝的單通道 N 型 MOSFET,設(shè)計(jì)用于高壓應(yīng)用。它具備 650V 的漏源極電壓 (VDS) 和 ±30V 的柵源極電壓 (VGS),能夠在較高電壓下穩(wěn)定工作。開(kāi)啟電壓 (Vth) 為 3.5V,在 VGS 為 10V 時(shí),其導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 500mΩ。該 MOSFET 的最大漏極電流 (ID) 為 9A,采用了超結(jié) (Super Junction) 多重 EPI 技術(shù),這使得它在處理高功率和高電壓應(yīng)用時(shí)具有優(yōu)良的性能。適合用于要求較高耐壓但導(dǎo)通電阻相對(duì)較高的場(chǎng)合。
### 二、IPP60R600CP-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
1. **封裝類型**:TO220
2. **配置**:?jiǎn)瓮ǖ?N 型 MOSFET
3. **漏源極電壓 (VDS)**:650V
4. **柵源極電壓 (VGS)**:±30V
5. **開(kāi)啟電壓 (Vth)**:3.5V
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:500mΩ @ VGS = 10V
7. **最大漏極電流 (ID)**:9A
8. **技術(shù)類型**:超結(jié) (Super Junction) 多重 EPI 技術(shù)
9. **工作溫度范圍**:-55°C ~ 150°C
10. **熱阻**:典型值 1.1°C/W (結(jié)殼)
11. **功率耗散**:典型值 50W
12. **封裝尺寸**:TO220 外形尺寸,適合通過(guò)孔焊接或散熱器安裝
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **高壓開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)**:IPP60R600CP-VB 在高壓開(kāi)關(guān)模式電源中表現(xiàn)出色,特別是在高電壓的 AC-DC 轉(zhuǎn)換應(yīng)用中。盡管導(dǎo)通電阻較高,但其650V的耐壓特性使其適用于高電壓輸入的電源系統(tǒng),比如工業(yè)電源和電力供應(yīng)模塊。
2. **電動(dòng)汽車 (EV) 充電器**:該 MOSFET 能夠用于電動(dòng)汽車充電器中的高壓電源部分。雖然其導(dǎo)通電阻較高,但在較低電流和高電壓環(huán)境下仍能提供穩(wěn)定的性能,適合于充電樁和高壓電源模塊。
3. **逆變器與變頻器**:在太陽(yáng)能逆變器和風(fēng)能發(fā)電設(shè)備的高壓部分,IPP60R600CP-VB 提供了必要的高電壓耐受能力和開(kāi)關(guān)性能。它適用于那些要求高電壓而對(duì)導(dǎo)通電阻要求相對(duì)寬松的應(yīng)用場(chǎng)景。
4. **照明控制**:在一些需要高壓驅(qū)動(dòng)的照明系統(tǒng),如 HID 照明控制中,該 MOSFET 的高耐壓特性使其適用于這些高功率、高電壓的照明應(yīng)用。
5. **工業(yè)設(shè)備**:工業(yè)用電源模塊和高壓控制系統(tǒng)也可以利用 IPP60R600CP-VB。其高電壓承受能力和穩(wěn)健的性能適合于各種工業(yè)應(yīng)用中對(duì)高壓和高功率處理的需求。
總體而言,IPP60R600CP-VB 適合用于高壓、高功率的應(yīng)用場(chǎng)景,其中對(duì)導(dǎo)通電阻的要求可以相對(duì)寬松,但需要穩(wěn)定的高電壓耐受能力。
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