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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IPP60R600P6-VB一款TO220封裝N-Channel場效應MOS管

型號: IPP60R600P6-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 500mΩ@VGS=10V
  • ID 9A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、產品簡介:

IPP60R600P6-VB 是一款高壓 N 溝道 MOSFET,封裝為 TO220,采用超級結 (SJ) 多層外延技術 (Multi-EPI) 制造。該 MOSFET 的 VDS 額定值為 650V,使其適合用于高電壓應用。其導通電阻 RDS(ON) 為 500mΩ(VGS = 10V 時),為高電流應用提供了合適的低功耗特性。IPP60R600P6-VB 的柵源電壓 VGS 范圍為 ±30V,提供了靈活的控制電壓選擇。這種器件主要用于需要高電壓和穩(wěn)定電流的場景中,具有可靠的性能和優(yōu)良的開關特性。

### 二、詳細參數說明:

1. **封裝類型**:TO220  
2. **溝道類型**:單一 N 溝道  
3. **VDS(漏源電壓)**:650V  
4. **VGS(柵源電壓)**:±30V  
5. **Vth(閾值電壓)**:3.5V  
6. **RDS(ON)(導通電阻)**:500mΩ @ VGS = 10V  
7. **ID(漏極電流)**:9A  
8. **技術**:超級結 (SJ) 多層外延技術 (Multi-EPI)  
9. **熱阻**:Rth(j-c) = 1.2°C/W  
10. **Qg(總柵電荷)**:90 nC  
11. **td(on)(導通延遲時間)**:15 ns  
12. **tr(上升時間)**:45 ns  
13. **td(off)(關斷延遲時間)**:30 ns  
14. **tf(下降時間)**:25 ns  
15. **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C

### 三、適用領域和模塊舉例:

1. **電源供應模塊**:IPP60R600P6-VB 在開關電源(SMPS)中適用于需要高電壓處理的應用,如工業(yè)電源或高壓電源系統。盡管其導通電阻相對較高,但在高電壓條件下,依然能夠提供穩(wěn)定的電流控制,確保電源系統的可靠運行。

2. **光伏逆變器**:在光伏逆變器中,尤其是高電壓輸入的逆變器模塊中,該 MOSFET 能夠有效處理高電壓并保證系統的效率。其超級結技術幫助在光伏系統中提高能量轉換效率,減少功率損耗。

3. **不間斷電源(UPS)**:在UPS系統中,IPP60R600P6-VB 可以作為功率開關組件,為系統提供高電壓穩(wěn)定的電流管理。特別是在需要高電壓支持的中低功率應用中,該 MOSFET 的穩(wěn)定性和可靠性對確保電力供應的連續(xù)性至關重要。

4. **工業(yè)電機驅動**:對于高電壓電機驅動系統,IPP60R600P6-VB 提供了必要的電流控制能力和耐壓特性。它適合用于高壓電機驅動和控制模塊,確保系統在長時間運行中的穩(wěn)定性。

5. **照明控制系統**:在需要高電壓支持的照明控制系統中,如高功率LED燈驅動或其他高壓照明應用,IPP60R600P6-VB 能提供穩(wěn)定的開關性能和可靠的電流控制,確保燈光系統的高效運行。

該 MOSFET 還可以用于其他要求高電壓和可靠性的應用中,如電動車充電模塊、高壓電池管理系統等。

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