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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPP80N06S2L-07-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPP80N06S2L-07-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPP80N06S2L-07-VB 產(chǎn)品簡介
IPP80N06S2L-07-VB 是一款N溝道功率MOSFET,采用TO-220封裝,利用Trench技術(shù)制造。這款MOSFET的最大漏源電壓(VDS)為60V,適用于中低電壓的功率管理應(yīng)用。它具有極低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為5mΩ,在VGS=10V時能夠處理高達120A的漏極電流(ID)。這種高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其在需要高效能開關(guān)的應(yīng)用場合中表現(xiàn)優(yōu)異。

### 二、IPP80N06S2L-07-VB 詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO-220  
- **溝道配置**:單N溝道  
- **最大漏源電壓 (VDS)**:60V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:5mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流 (ID)**:120A  
- **功耗**:需根據(jù)實際散熱條件計算  
- **工作溫度范圍**:寬廣的工作溫度范圍,具體數(shù)值視應(yīng)用而定  
- **技術(shù)**:Trench  

### 三、IPP80N06S2L-07-VB 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **高效能開關(guān)電源(SMPS)**:IPP80N06S2L-07-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其非常適合用于高效能開關(guān)電源設(shè)計。在開關(guān)電源中,該MOSFET 能夠降低開關(guān)損耗,提升電源效率。

2. **電機驅(qū)動**:在電機驅(qū)動應(yīng)用中,IPP80N06S2L-07-VB 可以用于高電流電機驅(qū)動模塊。其高電流承受能力和低導(dǎo)通電阻有助于提升電機驅(qū)動的效率和性能。

3. **電池管理系統(tǒng)**:在電池管理系統(tǒng)中,尤其是用于高功率電池的應(yīng)用,IPP80N06S2L-07-VB 的低導(dǎo)通電阻有助于減少功率損耗和發(fā)熱,確保電池管理系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。

4. **功率模塊**:IPP80N06S2L-07-VB 也可以用于各種功率模塊中,如DC-DC轉(zhuǎn)換器和逆變器,特別是在需要處理高電流且要求高開關(guān)效率的場景。其優(yōu)秀的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻使其能夠有效地提高功率模塊的整體性能。

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