--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 900V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 750mΩ@VGS=10V
- ID 9A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### IPP90R1K0C3-VB 產(chǎn)品簡介
IPP90R1K0C3-VB 是一款高耐壓N溝道MOSFET,封裝形式為TO220。該MOSFET 專為高電壓應(yīng)用設(shè)計,具有900V的漏源極電壓(VDS),能夠處理高電壓環(huán)境下的開關(guān)操作。它采用SJ(超結(jié))多重外延技術(shù)(SJ_Multi-EPI),提供較高的電流處理能力和較低的導(dǎo)通電阻。該MOSFET 的低導(dǎo)通電阻和高電壓耐受能力使其在高功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
### IPP90R1K0C3-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:900V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:750mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:9A
- **技術(shù)類型**:SJ_Multi-EPI 超結(jié)多重外延技術(shù)
- **其他特點(diǎn)**:
- 適用于高電壓環(huán)境
- 高電流處理能力,支持大功率應(yīng)用
- 優(yōu)異的熱性能,能夠在高電流條件下穩(wěn)定工作
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **高壓電源轉(zhuǎn)換器**:IPP90R1K0C3-VB 適用于高壓電源轉(zhuǎn)換器,如AC-DC轉(zhuǎn)換器和高壓直流電源模塊。其900V的漏源極電壓使其能夠處理高電壓輸入,同時其低導(dǎo)通電阻有助于提升電源轉(zhuǎn)換效率,減少功率損耗。
2. **電力逆變器**:在高電壓電力逆變器中,該MOSFET 可用于處理高壓直流輸入和高電壓輸出,適用于太陽能逆變器和風(fēng)能逆變器等應(yīng)用。其高電壓耐受能力和穩(wěn)定的開關(guān)性能有助于確保逆變器的可靠性和效率。
3. **高壓開關(guān)電路**:在需要處理高電壓開關(guān)的電路中,IPP90R1K0C3-VB 提供了可靠的開關(guān)性能和高電壓耐受能力。適用于高壓開關(guān)電源、工業(yè)電源管理和電動汽車充電系統(tǒng)中的開關(guān)操作。
4. **高壓功率放大器**:該MOSFET 也適用于高壓功率放大器,例如用于通信和廣播領(lǐng)域的放大器。其高電壓處理能力能夠支持大功率信號的放大,確保系統(tǒng)在高電壓條件下穩(wěn)定運(yùn)行。
這些應(yīng)用場景展示了IPP90R1K0C3-VB 在高電壓、高功率領(lǐng)域中的廣泛適用性和優(yōu)異性能,特別是在需要高電壓耐受和高效開關(guān)的環(huán)境中。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它