--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO251
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 950mΩ@VGS=10V
- ID 5A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**產(chǎn)品簡介:**
IPS50R520CP-VB 是一款單N溝道MOSFET,封裝類型為TO251,采用先進的超結(jié)(SJ)和多重外延(Multi-EPI)技術(shù),適合高壓電源應(yīng)用。它具有650V的漏源極電壓(VDS),能夠在較高電壓條件下可靠工作。該器件的柵源極電壓(VGS)范圍為±30V,開啟電壓(Vth)為3.5V。盡管導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為950mΩ(@VGS=10V),但其在5A的最大漏極電流下仍能提供穩(wěn)定的性能。這款MOSFET 適用于高效能和高壓系統(tǒng),主要應(yīng)用于需要可靠開關(guān)和電源控制的環(huán)境。
**詳細參數(shù)說明:**
- **封裝類型**:TO251
- **溝道類型**:單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:650V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±30V
- **開啟電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:950mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:5A
- **技術(shù)類型**:超結(jié)(SJ)+ 多重外延(Multi-EPI)技術(shù)
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
- **功率耗散 (PD)**:提升熱管理性能
- **典型開關(guān)頻率**:適用于高壓開關(guān)應(yīng)用
**應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例:**
1. **工業(yè)電源轉(zhuǎn)換器**:IPS50R520CP-VB 的650V漏源極電壓使其非常適合工業(yè)電源轉(zhuǎn)換器中使用,如逆變器和DC-DC電源模塊。在這些應(yīng)用中,MOSFET 用于高壓開關(guān)操作,提供高效能的功率轉(zhuǎn)換。
2. **開關(guān)模式電源 (SMPS)**:在開關(guān)模式電源中,MOSFET 作為主要開關(guān)元件,通過其高開關(guān)頻率特性和高壓處理能力實現(xiàn)能量的高效轉(zhuǎn)換。這有助于提高整體電源效率,適用于如計算機電源、通信設(shè)備電源等場景。
3. **照明系統(tǒng)**:在需要高壓操作的照明系統(tǒng)(如LED照明驅(qū)動器和高壓HID燈)中,IPS50R520CP-VB 能提供穩(wěn)定的電壓和電流控制,確保高效的能量利用和可靠性。
4. **家電控制系統(tǒng)**:該MOSFET 可用于高壓家用電器的電源管理和控制模塊中,特別是需要高壓驅(qū)動的設(shè)備,如空調(diào)、冰箱等,能夠有效提高系統(tǒng)的工作效率和穩(wěn)定性。
5. **電動機控制與驅(qū)動**:在電動機控制應(yīng)用中,尤其是工業(yè)和家用電動機驅(qū)動器,IPS50R520CP-VB 可以通過其高壓開關(guān)特性,提供高效的電流驅(qū)動控制,確保電動機的平穩(wěn)運行。
這些應(yīng)用示例表明,IPS50R520CP-VB 在各種需要高壓、高效和可靠性的領(lǐng)域中都能夠發(fā)揮重要作用,特別是工業(yè)和高壓電源管理模塊中。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12