91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

IPW65R110CFDA-VB一款TO247封裝N-Channel場效應MOS管

型號: IPW65R110CFDA-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數(shù) ---

  • Package TO247
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 700V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 80mΩ@VGS=10V
  • ID 47A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### IPW65R110CFDA-VB 產品簡介
IPW65R110CFDA-VB 是一款高電壓N溝道MOSFET,采用TO247封裝,設計用于高電壓和高功率應用。該MOSFET 具有700V的漏源極電壓(VDS)和30V的柵源極電壓(VGS),適合在高功率轉換和管理系統(tǒng)中使用。其導通電阻為80mΩ(在VGS=10V時),漏極電流可達47A,采用SJ(超結)多重外延技術(SJ_Multi-EPI),旨在提供低功率損耗和高開關效率。IPW65R110CFDA-VB 適用于需要高耐壓和高電流處理能力的應用,確保了在嚴苛條件下的可靠性和效率。

### IPW65R110CFDA-VB 詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO247
- **配置**:單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:700V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:80mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:47A
- **技術類型**:SJ_Multi-EPI 超結多重外延技術
- **其他特點**:
 - 高電壓耐受能力,適合高壓應用
 - 低導通電阻,減少功率損耗
 - 高電流處理能力,適合高功率環(huán)境
 - 超結技術提供更高的開關效率和熱性能

### 應用領域和模塊舉例
1. **高功率逆變器**:IPW65R110CFDA-VB 適用于高功率逆變器,如太陽能光伏逆變器和風能逆變器。這款MOSFET 的700V漏源極電壓和80mΩ導通電阻使其能夠有效地處理高電壓和高電流,確保逆變器在高功率轉換中的高效能和穩(wěn)定性。

2. **工業(yè)電源**:在工業(yè)電源系統(tǒng)中,例如AC-DC電源轉換器或DC-DC轉換器,IPW65R110CFDA-VB 提供高效的電流管理和低功率損耗。其高耐壓和低導通電阻使其非常適合用于大功率電源模塊,提升整體系統(tǒng)的效率和可靠性。

3. **電動汽車充電器**:在電動汽車的充電器中,該MOSFET 能夠處理高電壓和大電流的充電過程。其700V的耐壓能力和80mΩ的低導通電阻確保充電器在高功率充電操作中的高效性和安全性。

4. **電力開關系統(tǒng)**:IPW65R110CFDA-VB 適用于各種電力開關系統(tǒng),如不間斷電源(UPS)和電動機驅動系統(tǒng)。其高電流處理能力和高耐壓特性使其能夠穩(wěn)定地處理高功率開關任務,并提高系統(tǒng)的可靠性和性能。

通過其高電壓耐受能力和高效的開關性能,IPW65R110CFDA-VB 在多個高功率應用領域中表現(xiàn)出色,滿足了現(xiàn)代高功率電子設備對效率和穩(wěn)定性的需求。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業(yè)核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    527瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產替代方案,已成為驅動產品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    449瀏覽量