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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IR9331-VB一款DFN8(3X3)封裝P-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IR9331-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package DFN8(3X3)
  • Configurat Single-P-Channel
  • VDS -30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -2.5V
  • RDS(ON) 11mΩ@VGS=10V
  • ID -45A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介 - IR9331-VB MOSFET

IR9331-VB 是一款 DFN8 (3x3) 封裝的單通道 P 型 MOSFET,設(shè)計用于高效的開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件具備 -30V 的漏源電壓 (VDS),柵源電壓 (VGS) 最大可承受 ±20V,采用溝槽 (Trench) 技術(shù),有效降低導(dǎo)通電阻并提高電流處理能力。其低的導(dǎo)通電阻特性在 -4.5V 和 -10V 柵壓下分別為 18mΩ 和 11mΩ,最大連續(xù)漏極電流為 -45A。IR9331-VB 在功率轉(zhuǎn)換、負載開關(guān)和電源管理等領(lǐng)域中展現(xiàn)出卓越的性能。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**:DFN8 (3x3)
- **配置**:單通道 P 型 MOSFET
- **漏源電壓 (VDS)**:-30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:-2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 18mΩ @ VGS = -4.5V
 - 11mΩ @ VGS = -10V
- **最大漏極電流 (ID)**:-45A
- **技術(shù)**:Trench (溝槽型)

### 適用領(lǐng)域和模塊的應(yīng)用舉例

1. **電源管理模塊**:IR9331-VB 非常適合用于需要高效能量轉(zhuǎn)換的電源管理電路,特別是在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中作為低損耗的開關(guān)器件,能有效降低導(dǎo)通損耗并提高轉(zhuǎn)換效率。

2. **負載開關(guān)應(yīng)用**:該器件在負載開關(guān)中表現(xiàn)優(yōu)異,可用于便攜設(shè)備或工業(yè)控制中的電源線路中,控制電流的流入或斷開,提供穩(wěn)定的開關(guān)性能和較低的發(fā)熱。

3. **電動汽車與新能源系統(tǒng)**:憑借其低 RDS(ON) 和高電流處理能力,IR9331-VB 可以應(yīng)用于新能源系統(tǒng)和電動汽車中的電池管理模塊中,實現(xiàn)高效的功率調(diào)度和控制。

4. **消費電子產(chǎn)品**:在智能手機、筆記本電腦等消費類電子產(chǎn)品中,IR9331-VB 可以作為充電和電池保護電路中的關(guān)鍵元件,確保電池和其他電路的安全高效運行。

這個 MOSFET 是在高效能量轉(zhuǎn)換和高電流控制應(yīng)用中不可或缺的關(guān)鍵元件,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對低功耗和高性能的要求。

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