--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO263
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 80V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 6mΩ@VGS=10V
- ID 120A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
**IRF2807ZS-VB** 是一款高性能單極N溝道MOSFET,封裝形式為TO263。采用Trench技術(shù),IRF2807ZS-VB專為高電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計,具備優(yōu)異的導(dǎo)電性能和低功耗特性。其最大漏源電壓為80V,適合用于中到高電壓的應(yīng)用環(huán)境。該MOSFET在VGS=10V時的導(dǎo)通電阻低至6mΩ,在VGS=4.5V時為10mΩ,能夠有效減少功耗并提高系統(tǒng)的效率。最大漏極電流為120A,使其在需要大電流處理能力的場合表現(xiàn)出色。
### 詳細參數(shù)說明
- **型號**: IRF2807ZS-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單極N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 80V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 10mΩ @ VGS = 4.5V
- 6mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術(shù)**: Trench
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **高功率開關(guān)電源**
- **領(lǐng)域**: 電源適配器、高效開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器。
- **說明**: IRF2807ZS-VB的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其非常適合用于高功率開關(guān)電源。在電源適配器和DC-DC轉(zhuǎn)換器中,該MOSFET能夠有效地降低能量損耗,并提高整體轉(zhuǎn)換效率,確保系統(tǒng)穩(wěn)定運行。
2. **電動汽車系統(tǒng)**
- **領(lǐng)域**: 電池管理系統(tǒng)、電動機驅(qū)動。
- **說明**: 在電動汽車中,IRF2807ZS-VB可以用于電池管理系統(tǒng)和電動機控制電路。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻幫助優(yōu)化電池性能,提升電動機驅(qū)動的穩(wěn)定性和效率,支持電動汽車的高性能要求。
3. **工業(yè)電機控制**
- **領(lǐng)域**: 工業(yè)自動化、電動機驅(qū)動系統(tǒng)。
- **說明**: 在工業(yè)電機控制應(yīng)用中,IRF2807ZS-VB可用于電機驅(qū)動電路,提供可靠的開關(guān)功能。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻有助于提高電機驅(qū)動系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性,減少功耗和發(fā)熱,提升系統(tǒng)的整體性能。
4. **汽車電子控制**
- **領(lǐng)域**: 汽車功率管理系統(tǒng)、電力開關(guān)。
- **說明**: IRF2807ZS-VB在汽車電子控制系統(tǒng)中,用于功率開關(guān)和管理功能。其高電壓和電流處理能力使其能夠高效地管理汽車內(nèi)部的電源需求,確保電子控制模塊的穩(wěn)定運行,提供可靠的功率管理解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12