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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRF7811ATRPBF-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IRF7811ATRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介:

**IRF7811ATRPBF-VB** 是一款高效能的單N溝道MOSFET,采用SOP8封裝,基于Trench技術(shù)設(shè)計。它具有30V的最大漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),以及1.7V的閾值電壓(Vth)。這款MOSFET 的導(dǎo)通電阻非常低,分別為11mΩ(@VGS=4.5V)和8mΩ(@VGS=10V),確保了優(yōu)異的導(dǎo)電性能和低功耗。其最大漏極電流(ID)為13A,適用于需要高效開關(guān)和高電流處理的應(yīng)用場景。IRF7811ATRPBF-VB 的設(shè)計使其非常適合在高頻率和高負(fù)載條件下工作。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說明:

- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:單N溝道MOSFET
- **漏源電壓(VDS)**:30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - @VGS = 4.5V: 11mΩ
 - @VGS = 10V: 8mΩ
- **最大漏極電流(ID)**:13A
- **技術(shù)類型**:Trench(溝槽型)
- **功率耗散**:2.5W
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊說明:

1. **電源管理與DC-DC轉(zhuǎn)換器**:
  IRF7811ATRPBF-VB 在電源管理系統(tǒng)和DC-DC轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)優(yōu)異。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其能夠有效地處理大電流,同時減少功耗和熱量。適用于計算機(jī)電源、工業(yè)電源和通信設(shè)備中的高效能轉(zhuǎn)換器。

2. **負(fù)載開關(guān)與電源分配**:
  該MOSFET 由于其高開關(guān)效率和低RDS(ON)值,特別適用于負(fù)載開關(guān)應(yīng)用,如自動化設(shè)備、家用電器和電池管理系統(tǒng)。它能夠在高負(fù)載情況下提供穩(wěn)定的開關(guān)性能,減少能量損耗并提高系統(tǒng)的可靠性。

3. **電機(jī)驅(qū)動**:
  IRF7811ATRPBF-VB 適用于電動工具、電動玩具及其他電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠高效驅(qū)動電機(jī),確保平穩(wěn)和可靠的操作,同時提高整體系統(tǒng)效率。

4. **汽車電子**:
  在汽車電子系統(tǒng)中,這款MOSFET 可用于各種開關(guān)控制模塊,包括電池管理、電源切換和負(fù)載控制。它的高效率和穩(wěn)定性使其在汽車環(huán)境中能夠應(yīng)對高負(fù)載需求,確保車輛電子系統(tǒng)的正常運(yùn)行和長期可靠性。

IRF7811ATRPBF-VB 的設(shè)計和性能使其在多個領(lǐng)域中提供高效、可靠的開關(guān)解決方案,特別適合高電流、高效能的應(yīng)用。

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