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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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RSH140N03TB-VB一款SOP8封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): RSH140N03TB-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### RSH140N03TB-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

RSH140N03TB-VB 是一款高效的 N 通道 MOSFET,采用 SOP8 封裝,專為低電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該 MOSFET 的漏極源電壓(VDS)最大可達(dá) 30V,支持 ±20V 的柵極源電壓(VGS)。其柵閾值電壓(Vth)為 1.7V,能夠在較低的柵電壓下實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)。導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS=4.5V 時(shí)為 11mΩ,VGS=10V 時(shí)降至 8mΩ,最大漏極電流(ID)為 13A。RSH140N03TB-VB 采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù),確保在各種應(yīng)用場(chǎng)景中具備優(yōu)異的熱性能和功率效率。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: RSH140N03TB-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 單 N 通道
- **漏極源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極源電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 11mΩ @ VGS=4.5V
 - 8mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 13A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

RSH140N03TB-VB MOSFET 在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中的應(yīng)用包括:

1. **電源管理**: 在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源中,RSH140N03TB-VB 可以實(shí)現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換,適用于各種消費(fèi)電子設(shè)備,如手機(jī)充電器和筆記本電腦電源。

2. **LED 驅(qū)動(dòng)**: 該 MOSFET 適合用于 LED 照明應(yīng)用,提供穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)電流,確保 LED 的亮度和使用壽命,廣泛應(yīng)用于家居照明和商業(yè)照明系統(tǒng)。

3. **電機(jī)控制**: RSH140N03TB-VB 可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中,提供高效的開關(guān)控制,適用于電動(dòng)工具、家電和自動(dòng)化設(shè)備的電機(jī)控制。

4. **信號(hào)開關(guān)**: 作為一種高效的信號(hào)開關(guān)元件,該 MOSFET 可以用于音頻和視頻設(shè)備中,確保信號(hào)傳輸?shù)馁|(zhì)量和完整性。

5. **便攜設(shè)備**: 在電池供電的電子產(chǎn)品中,RSH140N03TB-VB 可作為負(fù)載開關(guān),有助于提升整體能效和電源管理。

通過其優(yōu)異的性能和靈活的應(yīng)用場(chǎng)景,RSH140N03TB-VB 是現(xiàn)代高效電子設(shè)備設(shè)計(jì)中不可或缺的元件。

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