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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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RSS100N03-TB-VB一款SOP8封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): RSS100N03-TB-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
RSS100N03-TB-VB是一款高效能的單N溝道MOSFET,采用SOP8封裝設(shè)計(jì),專(zhuān)為低電壓應(yīng)用而優(yōu)化。該器件具有優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻,能夠在30V的漏極-源極電壓下穩(wěn)定工作,適合多種功率管理和控制應(yīng)用。其Trench技術(shù)的應(yīng)用確保了低能耗和高效率,使其在現(xiàn)代電子設(shè)備中尤為重要。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**: RSS100N03-TB-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 單N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 11mΩ @ VGS=4.5V
 - 8mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 13A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **開(kāi)關(guān)電源**: RSS100N03-TB-VB非常適合于開(kāi)關(guān)電源(SMPS)的應(yīng)用,如AC-DC適配器和DC-DC轉(zhuǎn)換器,能夠在高頻開(kāi)關(guān)操作下有效降低能量損耗,提升轉(zhuǎn)換效率。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**: 該MOSFET可用于電機(jī)控制系統(tǒng),特別是在無(wú)刷直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中,能夠提供可靠的電流控制,確保電機(jī)運(yùn)行平穩(wěn)高效。

3. **LED驅(qū)動(dòng)電路**: 在LED照明應(yīng)用中,RSS100N03-TB-VB可作為驅(qū)動(dòng)MOSFET,具備低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,能夠有效控制LED的亮度,并延長(zhǎng)其使用壽命。

4. **電池管理系統(tǒng)**: 適用于電池充電和放電管理,在電動(dòng)車(chē)和可再生能源應(yīng)用中,可以高效地進(jìn)行能量管理,確保電池的安全和高效運(yùn)行。

通過(guò)這些應(yīng)用實(shí)例,RSS100N03-TB-VB展示出其在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中的廣泛適用性和高效能,成為多種領(lǐng)域中的理想選擇。

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