--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package SOP8
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
- ID 13A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介(RXH070N03-VB MOSFET)
RXH070N03-VB是一款高性能N溝道MOSFET,采用SOP8封裝,適合中低功率應(yīng)用。該MOSFET具有30V的漏極-源極電壓(VDS)和±20V的最大柵源電壓(VGS),其閾值電壓(Vth)為1.7V,支持低電壓?jiǎn)?dòng)。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在VGS=4.5V時(shí)為11mΩ,在VGS=10V時(shí)為8mΩ,能夠有效降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。最大漏極電流(ID)為13A,適用于功率轉(zhuǎn)換、電源管理及開(kāi)關(guān)電路等應(yīng)用。RXH070N03-VB采用Trench技術(shù),優(yōu)化了開(kāi)關(guān)特性,提供低導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)關(guān)頻率,廣泛應(yīng)用于各種需要低功耗和高效率的電源系統(tǒng)。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**: RXH070N03-VB
- **封裝類(lèi)型**: SOP8
- **配置**: 單一N型溝道(Single-N-Channel)
- **最大漏極-源極電壓(VDS)**: 30V
- **最大柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- 11mΩ @ VGS=4.5V
- 8mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**: 13A
- **技術(shù)類(lèi)型**: Trench技術(shù)
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +150°C
- **最大功率損耗**: 45W(具體根據(jù)散熱條件而定)
- **結(jié)溫**: 150°C(最大)
### 典型應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**
- RXH070N03-VB MOSFET非常適用于高效率DC-DC轉(zhuǎn)換器,特別是在要求低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)頻率的應(yīng)用中。該MOSFET能夠顯著降低功率損耗,提高電源轉(zhuǎn)換效率。
- **應(yīng)用示例**: 在消費(fèi)電子產(chǎn)品(如智能手機(jī)、筆記本電腦)中,MOSFET用于電池管理和電源模塊中,確保穩(wěn)定的電力供應(yīng)并優(yōu)化能量轉(zhuǎn)換效率。
2. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**
- 該MOSFET的低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其非常適合用于電池管理系統(tǒng)中,尤其是在電池的充放電保護(hù)電路中。其低功耗特性可以有效提高電池使用壽命。
- **應(yīng)用示例**: 在電動(dòng)工具、便攜式電池設(shè)備或電動(dòng)汽車(chē)的BMS系統(tǒng)中,RXH070N03-VB作為開(kāi)關(guān)元件,用于電池的過(guò)充、過(guò)放保護(hù),確保電池的安全運(yùn)行。
3. **電動(dòng)工具和小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)**
- RXH070N03-VB在電動(dòng)工具和電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用。其能夠快速開(kāi)關(guān)并承載較高電流,適合用于各種小型電機(jī)的高效驅(qū)動(dòng)。
- **應(yīng)用示例**: 在電動(dòng)工具的電機(jī)驅(qū)動(dòng)中,MOSFET能夠提供低損耗、高效率的電力供應(yīng),優(yōu)化電機(jī)啟動(dòng)和運(yùn)行的穩(wěn)定性。
4. **LED驅(qū)動(dòng)電路**
- 在LED驅(qū)動(dòng)電路中,RXH070N03-VB可以用作高效開(kāi)關(guān)元件,通過(guò)其低導(dǎo)通電阻實(shí)現(xiàn)快速切換和高效的電流調(diào)節(jié),適合用于大功率LED的驅(qū)動(dòng)。
- **應(yīng)用示例**: 在高功率LED照明系統(tǒng)中,MOSFET作為開(kāi)關(guān)元件控制LED的電流,保證其穩(wěn)定工作,并提供高效能量轉(zhuǎn)化。
5. **無(wú)線(xiàn)通信模塊**
- RXH070N03-VB也適用于無(wú)線(xiàn)通信模塊中,特別是在低功耗、高頻應(yīng)用中。其高頻開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻,使其能夠高效調(diào)節(jié)信號(hào)并提供穩(wěn)定的功率管理。
- **應(yīng)用示例**: 在無(wú)線(xiàn)傳感器網(wǎng)絡(luò)和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中,MOSFET可以用來(lái)管理電源,同時(shí)保證高頻信號(hào)的穩(wěn)定傳輸和低功耗操作。
6. **智能家居和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備**
- 在智能家居和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中,RXH070N03-VB可以作為功率管理的核心組件,提供低功耗、高效的開(kāi)關(guān)控制,支持設(shè)備的長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。
- **應(yīng)用示例**: 在智能門(mén)鎖、智能燈光控制或家庭自動(dòng)化設(shè)備中,MOSFET負(fù)責(zé)控制電流流動(dòng),確保電池或電源的高效利用,并延長(zhǎng)設(shè)備的使用時(shí)間。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性?xún)r(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛