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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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SI4668DY-T1-GE3-VB一款SOP8封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): SI4668DY-T1-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### **SI4668DY-T1-GE3-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介**

SI4668DY-T1-GE3-VB 是一款采用 **SOP8** 封裝的 **單 N 溝道 MOSFET**,具有較高的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻,非常適合高效電源管理和電流控制應(yīng)用。該型號(hào)具有 **VDS(漏源電壓)為 30V** 和 **最大漏電流(ID)為 13A**,使其在高效電源轉(zhuǎn)換和開關(guān)電源設(shè)計(jì)中表現(xiàn)卓越。其 **VGS(柵源電壓)** 為 **±20V**,閾值電壓 **Vth** 為 1.7V,能夠提供快速的開關(guān)響應(yīng)。

**SI4668DY-T1-GE3-VB** 的導(dǎo)通電阻非常低,在 **VGS = 4.5V** 時(shí)為 **11mΩ**,在 **VGS = 10V** 時(shí)為 **8mΩ**,確保在高電流條件下具有極低的功率損耗,適用于需要高效率的電源轉(zhuǎn)換和驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。其采用 **Trench 技術(shù)**,進(jìn)一步優(yōu)化了開關(guān)速度和熱管理性能,使其在小型化、低功耗設(shè)計(jì)中廣泛應(yīng)用。

### **詳細(xì)參數(shù)說明**

| **參數(shù)**                | **值**                                          |
|-------------------------|-------------------------------------------------|
| **封裝**                | SOP8                                            |
| **配置**                | 單 N 溝道                                        |
| **漏源電壓 (VDS)**       | 30V                                             |
| **柵源電壓 (VGS)**       | ±20V                                            |
| **閾值電壓 (Vth)**       | 1.7V                                            |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**    | 11mΩ @ VGS=4.5V;8mΩ @ VGS=10V                   |
| **最大漏電流 (ID)**      | 13A                                             |
| **技術(shù)**                | Trench 技術(shù)                                      |

### **應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例**

**1. 電源管理系統(tǒng)**
- **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:SI4668DY-T1-GE3-VB 由于其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,非常適合用在 **DC-DC 轉(zhuǎn)換器** 中,特別是用于電池供電設(shè)備中。它可以減少功率損失,提高轉(zhuǎn)換效率,適用于便攜式設(shè)備、計(jì)算機(jī)電源和高效能電源模塊等。
- **電池管理系統(tǒng)(BMS)**:該 MOSFET 的高效能和低導(dǎo)通電阻,使其在電池管理系統(tǒng)中表現(xiàn)出色,特別是在 **電動(dòng)工具** 和 **電動(dòng)汽車** 等應(yīng)用中,能夠有效提高充電和放電效率,延長(zhǎng)電池壽命。

**2. 電動(dòng)機(jī)控制**
- **電動(dòng)工具驅(qū)動(dòng)**:MOSFET 可用于 **電動(dòng)工具** 的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,通過降低導(dǎo)通電阻減少能量損失和熱量產(chǎn)生,增強(qiáng)電動(dòng)機(jī)控制的精度和效率,適合在高功率電動(dòng)工具中使用。
- **電動(dòng)交通工具**:SI4668DY-T1-GE3-VB 在 **電動(dòng)交通工具**(如電動(dòng)自行車、電動(dòng)摩托車)中能夠提供高效的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng),確保系統(tǒng)的電力輸出穩(wěn)定且節(jié)能。

**3. 高頻開關(guān)電源**
- **同步整流電源**:該 MOSFET 的低導(dǎo)通電阻使其成為 **同步整流電源** 的理想選擇。其能有效降低開關(guān)損耗,提高轉(zhuǎn)換效率,廣泛用于 **計(jì)算機(jī)電源**、**UPS 系統(tǒng)** 和 **工業(yè)設(shè)備電源** 等高效電源模塊中。
- **LED 驅(qū)動(dòng)電源**:在 **LED 驅(qū)動(dòng)電源** 中,SI4668DY-T1-GE3-VB 提供低損耗的電源轉(zhuǎn)換,能夠提升系統(tǒng)的能效,適用于各種 **照明**、**顯示屏** 和 **智能家居** 系統(tǒng)。

**4. 便攜式設(shè)備**
- **智能手機(jī)與便攜式電子設(shè)備**:由于其低導(dǎo)通電阻,SI4668DY-T1-GE3-VB 在 **智能手機(jī)** 和 **便攜式電子設(shè)備** 中表現(xiàn)卓越,能夠延長(zhǎng)電池使用時(shí)間,減少能量浪費(fèi)。它還適用于 **無線耳機(jī)**、**智能手表** 等可穿戴設(shè)備的電池管理系統(tǒng)。
- **移動(dòng)電源**:該 MOSFET 在 **移動(dòng)電源**(如便攜式充電寶)中應(yīng)用廣泛,能夠提高充電效率,支持快速充電功能,確保設(shè)備快速恢復(fù)電量。

**5. 無線通信**
- **無線設(shè)備**:SI4668DY-T1-GE3-VB 的快速開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻使其適用于各種 **無線通信設(shè)備** 中,包括 **藍(lán)牙設(shè)備**、**Wi-Fi 路由器** 和 **智能家居設(shè)備**,提供高效的功率管理和能量轉(zhuǎn)換。

**6. 高效電源模塊**
- **高效電源模塊**:由于其超低導(dǎo)通電阻,SI4668DY-T1-GE3-VB 可用于各種高效電源模塊中,如 **AC-DC 轉(zhuǎn)換器**、**DC-DC 轉(zhuǎn)換器** 和 **電壓調(diào)節(jié)模塊**,幫助提高系統(tǒng)效率,減少能源消耗,適用于 **消費(fèi)電子**、**汽車電子** 和 **工業(yè)自動(dòng)化** 等應(yīng)用。

### **總結(jié)**

SI4668DY-T1-GE3-VB 是一款高效的 **單 N 溝道 MOSFET**,采用 **SOP8 封裝**,具有 **低導(dǎo)通電阻(RDS(ON) = 8mΩ)** 和 **高電流承載能力(13A)**,非常適用于高效電源管理、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理以及高效電源模塊等應(yīng)用。其采用 **Trench 技術(shù)**,提供優(yōu)異的開關(guān)性能和低功率損耗,廣泛應(yīng)用于 **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**、**電池管理系統(tǒng)**、**同步整流電源**、**便攜式設(shè)備** 和 **無線通信設(shè)備** 中,能有效提高系統(tǒng)的能效和穩(wěn)定性。

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