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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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Si4776DY-T1-GE3-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: Si4776DY-T1-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • ID 13A
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### **Si4776DY-T1-GE3-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介**

Si4776DY-T1-GE3-VB 是一款采用 **SOP8 封裝** 的 **單 N 溝道 MOSFET**,專為高效電源管理和功率控制應(yīng)用而設(shè)計。該器件具有 **30V 的漏源電壓(VDS)** 和 **13A 的最大漏電流(ID)**,能夠在較高電流和較低電壓條件下提供優(yōu)異的性能。它的 **VGS** 范圍為 **±20V**,適合各種電源和驅(qū)動電路設(shè)計。

該 MOSFET 的 **閾值電壓(Vth)** 為 **1.7V**,使其能夠快速響應(yīng)并適應(yīng)低電壓操作。**RDS(ON)**(導(dǎo)通電阻)分別為 **11mΩ** 在 **VGS=4.5V** 下,和 **8mΩ** 在 **VGS=10V** 下,表現(xiàn)出非常低的導(dǎo)通損耗,保證了較高的電流承載能力,同時減少了能量浪費。該產(chǎn)品采用 **Trench 技術(shù)**,具有較低的開關(guān)損耗和較高的工作效率,非常適合高效電源管理和高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

### **詳細參數(shù)說明**

| **參數(shù)**                | **值**                                          |
|-------------------------|-------------------------------------------------|
| **封裝類型**            | SOP8                                            |
| **配置**                | 單 N 溝道                                        |
| **漏源電壓(VDS)**      | 30V                                             |
| **柵源電壓(VGS)**      | ±20V                                            |
| **閾值電壓(Vth)**      | 1.7V                                            |
| **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**    | 11mΩ @ VGS=4.5V;8mΩ @ VGS=10V                  |
| **最大漏電流(ID)**     | 13A                                             |
| **技術(shù)**                | Trench 技術(shù)                                      |
| **開關(guān)速度**            | 高速開關(guān)特性                                    |

### **應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例**

**1. 電源管理系統(tǒng)**
- **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:Si4776DY-T1-GE3-VB 具有非常低的 **導(dǎo)通電阻(RDS(ON) = 8mΩ)** 和高電流承載能力,適用于 **DC-DC 轉(zhuǎn)換器** 中。它能夠提高轉(zhuǎn)換效率,降低電源轉(zhuǎn)換中的熱量產(chǎn)生,廣泛應(yīng)用于 **便攜式設(shè)備**、**工業(yè)電源** 和 **高效能電源管理** 系統(tǒng)。
- **電池管理系統(tǒng)(BMS)**:在 **電池管理系統(tǒng)(BMS)** 中,Si4776DY-T1-GE3-VB 通過其低損耗特性,提高充電和放電過程的效率,尤其適用于 **電動工具** 和 **電動交通工具**(如電動摩托車、電動自行車)等需要高效能源管理的領(lǐng)域。

**2. 電動機驅(qū)動**
- **電動工具驅(qū)動**:Si4776DY-T1-GE3-VB 由于其 **低導(dǎo)通電阻** 和 **高電流承載能力**,能夠有效驅(qū)動電動工具中的 **電動機**,減少電能損失,增強電動機控制的精度,尤其適合 **電動工具**(如電鉆、電鋸)和 **工業(yè)設(shè)備** 中的驅(qū)動系統(tǒng)。
- **電動汽車(EV)**:該 MOSFET 在 **電動汽車** 的電動機驅(qū)動系統(tǒng)中也能提供高效能,幫助實現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換和電動機控制,提高車輛的續(xù)航能力和動力表現(xiàn)。

**3. 高頻開關(guān)電源**
- **同步整流電源**:Si4776DY-T1-GE3-VB 非常適合用作 **同步整流電源** 中的開關(guān)元件。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其在電源轉(zhuǎn)換效率上有顯著的提升,尤其適用于 **AC-DC 轉(zhuǎn)換器**、**DC-DC 轉(zhuǎn)換器** 和 **LED 驅(qū)動電源** 中。
- **工業(yè)電源系統(tǒng)**:該 MOSFET 也可用于 **工業(yè)電源系統(tǒng)** 中,幫助優(yōu)化電源模塊的效率,并減少熱損失,適用于 **UPS 系統(tǒng)**、**工業(yè)控制系統(tǒng)** 和 **高功率計算機電源**。

**4. 消費電子**
- **便攜式設(shè)備和智能手機**:由于其超低的導(dǎo)通電阻和高效率,Si4776DY-T1-GE3-VB 適用于 **智能手機**、**平板電腦** 和 **智能家居設(shè)備** 等消費電子產(chǎn)品,尤其是在 **電池管理系統(tǒng)** 中,能夠提高充放電效率并延長電池壽命。
- **移動電源(充電寶)**:在 **移動電源** 中,Si4776DY-T1-GE3-VB 的低導(dǎo)通電阻有助于提高充電效率,特別是在支持 **快充技術(shù)** 的便攜式充電寶中,能夠?qū)崿F(xiàn)更快速、更高效的電池充電過程。

**5. 無線通信**
- **無線設(shè)備電源管理**:該 MOSFET 的低導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力,使其在 **無線通信設(shè)備** 中應(yīng)用廣泛,尤其是用于 **Wi-Fi 路由器**、**藍牙設(shè)備** 和 **無線耳機** 等設(shè)備的電源模塊中,提供高效的電力管理。

### **總結(jié)**

Si4776DY-T1-GE3-VB 是一款采用 **SOP8 封裝** 的 **單 N 溝道 MOSFET**,具有 **低導(dǎo)通電阻(RDS(ON) = 8mΩ)** 和 **較高的電流承載能力(13A)**,適用于高效電源管理、驅(qū)動系統(tǒng)以及各種消費電子和工業(yè)應(yīng)用。其高效能和快速開關(guān)能力使其在 **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**、**電動機驅(qū)動**、**電池管理系統(tǒng)**、**同步整流電源** 和 **便攜式電子設(shè)備** 中具有廣泛的應(yīng)用,能夠提高系統(tǒng)的工作效率,減少能量損失。

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