--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package SOP8
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
- ID 13A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介:
SI4882DY-T1-E3-VB是一款單N通道MOSFET,采用SOP8封裝,適合用于低電壓高效開關(guān)應(yīng)用。該型號的最大漏極-源極電壓(V_DS)為30V,最大柵極-源極電壓(V_GS)為±20V,適用于低功耗、高效率電源管理和驅(qū)動電路。憑借其較低的導(dǎo)通電阻(R_DS(ON))和穩(wěn)定的電流承載能力(最大漏極電流為13A),SI4882DY-T1-E3-VB特別適合用于高效的電源轉(zhuǎn)換和電池驅(qū)動系統(tǒng)。其基于Trench技術(shù),提供出色的性能和可靠性,能夠在多種電氣環(huán)境下有效工作。
### 詳細(xì)參數(shù)說明:
- **型號**:SI4882DY-T1-E3-VB
- **封裝**:SOP8
- **配置**:單N通道
- **最大漏極-源極電壓 (V_DS)**:30V
- **最大柵極-源極電壓 (V_GS)**:±20V
- **閾值電壓 (V_th)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (R_DS(ON))**:
- 11mΩ @ V_GS = 4.5V
- 8mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏極電流 (I_D)**:13A
- **技術(shù)**:Trench技術(shù)
- **最大功率損耗**:根據(jù)散熱條件,功率損耗與R_DS(ON)和工作電流相關(guān)。
### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊:
1. **DC-DC電源轉(zhuǎn)換器**:
- SI4882DY-T1-E3-VB的低導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力,使其在DC-DC電源轉(zhuǎn)換器中具有優(yōu)異的性能。其在轉(zhuǎn)換效率方面表現(xiàn)出色,能夠在低輸入電壓下提供穩(wěn)定的輸出,適用于5V至30V的廣泛電壓范圍,特別適合用在手機(jī)充電器、電腦電源等設(shè)備中。
2. **電池供電系統(tǒng)**:
- 該MOSFET能夠有效管理電池供電系統(tǒng)中的電流流動,尤其適用于電池驅(qū)動設(shè)備,如手持設(shè)備、電動工具和智能硬件。由于其低R_DS(ON)特性,能夠減少電池能量的損失,從而延長電池使用時間。
3. **高效開關(guān)電源(SMPS)**:
- 在高頻開關(guān)電源中,SI4882DY-T1-E3-VB的低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性使其成為理想選擇。其能夠降低開關(guān)損耗,提高系統(tǒng)效率,廣泛應(yīng)用于電腦電源、電視電源、LED驅(qū)動電源等領(lǐng)域。
4. **電機(jī)驅(qū)動電路**:
- 在電機(jī)驅(qū)動模塊中,該MOSFET具有高電流處理能力和快速響應(yīng)特性,非常適合用于無刷直流電機(jī)(BLDC)控制系統(tǒng)中,能夠提供高效、穩(wěn)定的電機(jī)驅(qū)動,確保電機(jī)在復(fù)雜負(fù)載條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。
5. **LED驅(qū)動電路**:
- 由于SI4882DY-T1-E3-VB具有較低的導(dǎo)通電阻和穩(wěn)定的電流控制能力,它在LED驅(qū)動應(yīng)用中也表現(xiàn)出色。特別是在高效照明系統(tǒng)中,能夠穩(wěn)定調(diào)節(jié)LED電流,延長LED的使用壽命并提高整體能效。
6. **電流和過壓保護(hù)模塊**:
- SI4882DY-T1-E3-VB也適用于電流和過壓保護(hù)電路中。由于其低Vth和較高的電流能力,它能夠在電路出現(xiàn)異常時進(jìn)行迅速反應(yīng),保護(hù)系統(tǒng)免受損害,廣泛應(yīng)用于電池保護(hù)、充電管理和電力監(jiān)控系統(tǒng)中。
通過采用SI4882DY-T1-E3-VB,設(shè)計(jì)師能夠在多個領(lǐng)域中實(shí)現(xiàn)高效、低功耗的電氣設(shè)計(jì),尤其適用于要求高性能和高可靠性的電源管理系統(tǒng)。
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