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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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XP131A0232SR-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應MOS管

型號: XP131A0232SR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### XP131A0526SR-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

**XP131A0526SR-VB** 是一款 **單N溝道MOSFET**,采用 **SOP8** 封裝,專為高效能開關應用設計。該MOSFET具有 **30V** 的最大漏源電壓(VDS)和 **13A** 的最大漏極電流(ID),能夠在高頻、高效率的應用中提供優(yōu)異的性能。其 **1.7V** 的閾值電壓(Vth)使其能夠在較低的驅(qū)動電壓下進行快速開關,特別適用于需要低導通電阻和低功率損耗的場景。通過 **Trench** 技術的應用,**XP131A0526SR-VB** 在導通電阻(RDS(ON))方面表現(xiàn)出色,確保在高電流運行時的低功耗和高可靠性。該產(chǎn)品在電源管理、電池供電系統(tǒng)、負載開關等領域廣泛應用。

### XP131A0526SR-VB MOSFET 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - **11mΩ** @ VGS = 4.5V
 - **8mΩ** @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:13A
- **技術**:Trench

### 應用領域與模塊

**XP131A0526SR-VB** 具有優(yōu)秀的電氣特性和低導通電阻,適用于多個行業(yè)和領域,尤其在需要高電流處理和低功率損耗的應用中表現(xiàn)優(yōu)異。以下是該MOSFET的典型應用場景:

1. **DC-DC轉換器**:此MOSFET在電源轉換和調(diào)節(jié)中具有重要作用,能夠提供高效的電壓轉換,在為電子設備供電時,減少功率損耗和熱量生成,特別適用于便攜式設備和高效率電源系統(tǒng)。
  
2. **電池管理系統(tǒng)**:由于該MOSFET的低RDS(ON),它非常適合用于電池供電設備中的電源開關和保護電路。它可以高效地處理電池充電和放電過程中的電流,提升電池的工作效率和壽命。

3. **負載開關**:XP131A0526SR-VB可用于各種負載開關應用,尤其是在需要頻繁開關或快速響應的電路中。它的低導通電阻確保在負載切換過程中保持較低的功率損耗,適合于工業(yè)和消費類電子產(chǎn)品。

4. **低電壓控制電路**:在低電壓和中等電流應用中,如智能設備、電動工具和便攜設備中,該MOSFET能夠提供快速的響應和高效的開關控制,優(yōu)化設備性能并提高整體能效。

5. **電動機控制**:在電動機驅(qū)動應用中,XP131A0526SR-VB能夠提供高效的開關控制,尤其是在需要低功耗和高速開關的電動機驅(qū)動模塊中,減少了開關過程中的能量損耗和熱量積聚。

通過其卓越的電氣性能,XP131A0526SR-VB廣泛應用于消費電子、工業(yè)自動化、汽車電子以及智能電源管理系統(tǒng)等領域,滿足現(xiàn)代高效能電子產(chǎn)品對功率密度和效率的嚴格要求。

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