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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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XP131A1617SR-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應MOS管

型號: XP131A1617SR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 1. **產(chǎn)品簡介:XP131A1617SR-VB**

XP131A1617SR-VB是一款高性能單N溝道MOSFET,采用SOP8封裝,專為低電壓、高效能的開關應用設計。其最大漏源電壓(VDS)為30V,柵源電壓(VGS)最大可承受±20V,適用于各種電源和負載開關電路。XP131A1617SR-VB具有非常低的導通電阻(RDS(ON)),在VGS=4.5V時為11mΩ,在VGS=10V時為8mΩ,這使得其能夠顯著降低功率損耗并提升電路的整體效率。該MOSFET的柵源閾值電壓(Vth)為1.7V,能夠在較低的柵驅(qū)動電壓下穩(wěn)定工作,支持最大漏極電流(ID)為13A,廣泛應用于需要高電流、大功率和高效率的場合。XP131A1617SR-VB采用Trench技術,提供較高的開關速度和較低的導通損耗,適用于電源管理、電動工具、LED驅(qū)動等多種應用。

### 2. **詳細參數(shù)說明:XP131A1617SR-VB**

- **型號**: XP131A1617SR-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 單N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵源閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 11mΩ(VGS=4.5V)
 - 8mΩ(VGS=10V)
- **最大漏極電流 (ID)**: 13A
- **技術**: Trench
- **最大功耗**: 2W(根據(jù)工作條件)
- **開關特性**: 低導通電阻,快速開關
- **工作溫度范圍**: -55°C 到 +150°C

### 3. **應用領域與模塊示例**

XP131A1617SR-VB的低導通電阻、優(yōu)異的開關特性和較大的漏極電流承受能力,使其在多個領域中表現(xiàn)出色,以下是幾個典型應用:

- **電源管理與DC-DC轉(zhuǎn)換器**:在各種電源管理應用中,如DC-DC轉(zhuǎn)換器,XP131A1617SR-VB能夠提供高效的功率轉(zhuǎn)換。其低RDS(ON)能夠顯著減少功耗,提高電源轉(zhuǎn)換效率,特別適用于需要高電流的低電壓電源模塊。

- **電池管理系統(tǒng)(BMS)**:在電動汽車(EV)、電動工具和其他移動設備的電池管理系統(tǒng)中,XP131A1617SR-VB能夠高效地控制電流的流向,保護電池并提高能量使用效率。它在電池充放電過程中可提供穩(wěn)定的電流開關,延長電池使用壽命。

- **LED驅(qū)動電路**:XP131A1617SR-VB適用于LED驅(qū)動應用,特別是在需要高效電流控制和低功率損耗的場合。其低導通電阻有助于減少驅(qū)動電路中的熱量積累,確保LED的長壽命和穩(wěn)定亮度。

- **電動工具與工業(yè)自動化**:XP131A1617SR-VB在電動工具(如電動鉆、沖擊扳手等)和其他高電流工業(yè)設備中廣泛應用。該MOSFET能夠提供強大的電流控制,幫助這些設備高效運行,減少能耗并提高可靠性。

- **智能電源與負載開關**:在高效能的智能電源系統(tǒng)中,XP131A1617SR-VB可用于負載開關和電流調(diào)節(jié),確保高效能量傳輸。適合用于高頻開關、電力控制等智能電網(wǎng)應用。

總的來說,XP131A1617SR-VB是一款高效、低功耗的MOSFET,適用于電源管理、電池管理、LED驅(qū)動和負載開關等領域,特別適合高電流、低電壓以及需要快速開關響應的應用。

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