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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRF830I-HF-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRF830I-HF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRF830I-HF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介:

**IRF830I-HF-VB** 是一款高耐壓的 **單N溝道MOSFET**,封裝形式為 **TO220F**。該MOSFET 主要設(shè)計用于高電壓應(yīng)用,具有 **650V** 的 **漏源電壓(VDS)** 和 ±30V 的 **柵源電壓(VGS)**。其 **閾值電壓(Vth)** 為 **3.5V**,允許在較低的柵電壓下實現(xiàn)有效導(dǎo)通。雖然該MOSFET 的 **RDS(ON)** 在 **10V柵源電壓** 下為 **2560mΩ**,相對較高,但其高電壓承載能力使其適用于特定的高壓應(yīng)用。最大 **漏極電流(ID)** 為 **4A**,采用 **Plannar** 技術(shù),適合用于需要高電壓絕緣和穩(wěn)健性能的應(yīng)用場合。

---

### 詳細參數(shù)說明:

- **封裝:** TO220F
- **配置:** 單N溝道
- **漏源電壓(VDS):** 650V
- **柵源電壓(VGS):** ±30V
- **閾值電壓(Vth):** 3.5V
- **RDS(ON):** 
 - 2560mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID):** 4A
- **技術(shù):** Plannar
- **開關(guān)速度:** 中等,適合于中高頻應(yīng)用
- **功耗:** 適中,適合于高電壓環(huán)境

---

### 應(yīng)用實例:

1. **高電壓電源開關(guān):**  
  **IRF830I-HF-VB** 的 **650V** 的高漏源電壓使其適合用于 **高電壓電源開關(guān)** 應(yīng)用。它能夠有效地處理高電壓環(huán)境中的電流開關(guān),廣泛用于 **高壓電源** 和 **電力轉(zhuǎn)換器** 中,如 **電源模塊** 和 **高電壓直流-直流轉(zhuǎn)換器**,確保高電壓操作下的安全和穩(wěn)定。

2. **交流電源開關(guān):**  
  該MOSFET 也適用于 **交流電源開關(guān)** 應(yīng)用,特別是在 **高壓交流負(fù)載控制** 中。它能夠在高電壓交流環(huán)境中有效開關(guān)電流,適合用于 **電源調(diào)節(jié)器** 和 **交流負(fù)載開關(guān)**,如 **電源保護電路** 和 **高功率開關(guān)電源**,確保負(fù)載的可靠開關(guān)。

3. **電機驅(qū)動系統(tǒng):**  
  **IRF830I-HF-VB** 還可以應(yīng)用于 **電機驅(qū)動系統(tǒng)**,特別是需要高電壓控制的電機驅(qū)動模塊中。它能夠承受高電壓,并在電機控制應(yīng)用中提供穩(wěn)健的開關(guān)能力,廣泛用于 **工業(yè)電機驅(qū)動** 和 **高電壓電動工具**。

4. **開關(guān)電源保護:**  
  由于其高電壓耐受能力,**IRF830I-HF-VB** 也可用于 **開關(guān)電源保護**。在 **開關(guān)電源** 系統(tǒng)中,它可以作為 **過壓保護開關(guān)**,保護電源電路免受過電壓影響,確保系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。

這些應(yīng)用示例展示了 **IRF830I-HF-VB** 在 **高電壓電源開關(guān)、電機驅(qū)動系統(tǒng)** 和 **交流電源開關(guān)** 等領(lǐng)域的適用性,特別適合需要高電壓承載、穩(wěn)健性能的設(shè)計需求。

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