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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFS830BT-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRFS830BT-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRFS830BT-VB 產(chǎn)品簡介

**IRFS830BT-VB** 是一款高耐壓的 N-Channel MOSFET,采用 TO220F 封裝。其設(shè)計基于 Plannar 技術(shù),專為高電壓應(yīng)用而優(yōu)化。該 MOSFET 的最大漏源極耐壓為 650V,適合用于各種高電壓環(huán)境下的開關(guān)應(yīng)用。雖然其導(dǎo)通電阻相對較高,但在電壓要求較高的場合中,仍能提供穩(wěn)定可靠的性能。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝**: TO220F
- **配置**: Single-N-Channel
- **漏源極耐壓(VDS)**: 650V
- **柵源極電壓(VGS)**: ±30V
- **柵源極閾值電壓(Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流(ID)**: 7A
- **技術(shù)**: Plannar

### 適用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **高壓電源開關(guān)**: IRFS830BT-VB 的高耐壓特性使其非常適合用于高壓電源開關(guān)應(yīng)用。它能夠處理高達 650V 的電壓,使其在需要高電壓承受能力的電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)出色,如高壓直流-直流轉(zhuǎn)換器。

2. **電機驅(qū)動**: 在電機驅(qū)動系統(tǒng)中,盡管其導(dǎo)通電阻較高,但 IRFS830BT-VB 仍可用于高壓電機驅(qū)動應(yīng)用中,如電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)和工業(yè)電機控制。它能夠處理高電壓的電機開關(guān)要求,并提供足夠的耐用性。

3. **逆變器**: 對于逆變器電路,尤其是需要處理高電壓的應(yīng)用,如太陽能逆變器,IRFS830BT-VB 提供了可靠的開關(guān)性能。雖然其導(dǎo)通電阻較高,但其耐高壓能力確保了在高電壓應(yīng)用中的穩(wěn)定運行。

4. **功率放大器**: 在高功率放大器設(shè)計中,IRFS830BT-VB 的高電壓耐受能力使其適用于需要處理高電壓的功率放大器電路,例如高頻功率放大器和高功率廣播系統(tǒng)。

這些領(lǐng)域展示了 IRFS830BT-VB 在處理高電壓應(yīng)用中的適用性,盡管其導(dǎo)通電阻較高,但其高電壓耐受能力使其在特定高壓環(huán)境下的應(yīng)用中具有重要價值。

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