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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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JCS840F-O-F-N-B-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): JCS840F-O-F-N-B-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介:**

JCS840F-O-F-N-B-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單 N 通道 MOSFET,旨在滿足高電壓和中等電流應(yīng)用的需求。其最大漏源電壓 (VDS) 為 650V,柵源電壓 (VGS) 可承受 ±30V,適合在多種電力系統(tǒng)中使用。該器件的閾值電壓 (Vth) 為 3.5V,導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 680mΩ(在 VGS 為 10V 時(shí)),漏極電流 (ID) 可達(dá)到 12A。其平面(Plannar)技術(shù)確保了器件的高效能和穩(wěn)定性,使其在電源管理和電機(jī)控制等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

**二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**

- **封裝類(lèi)型**:TO220F  
- **配置**:?jiǎn)?N 通道  
- **漏源電壓 (VDS)**:650V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:680mΩ @ VGS = 10V  
- **漏極電流 (ID)**:12A  
- **技術(shù)**:平面(Plannar)  

**三、適用領(lǐng)域和模塊舉例:**

1. **電源轉(zhuǎn)換器**:JCS840F-O-F-N-B-VB 常用于電源轉(zhuǎn)換器,特別是需要高電壓和高效率的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。這種 MOSFET 能夠在電源轉(zhuǎn)換過(guò)程中保持低的導(dǎo)通損耗,提升整體系統(tǒng)效率。

2. **電機(jī)控制**:在工業(yè)自動(dòng)化和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,該器件可用作開(kāi)關(guān)元件,控制電機(jī)的啟停與運(yùn)行狀態(tài),提供高效的電力管理。

3. **開(kāi)關(guān)電源**:該 MOSFET 適用于開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中,能夠承受高頻率操作下的高電壓,有助于提升開(kāi)關(guān)電源的性能和穩(wěn)定性。

4. **高壓應(yīng)用**:在一些需要高電壓控制的消費(fèi)電子產(chǎn)品和工業(yè)設(shè)備中,JCS840F 能夠安全有效地進(jìn)行電源管理,確保設(shè)備在極端條件下的可靠運(yùn)行。

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