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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K10A60-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K10A60-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K10A60-VB MOSFET產(chǎn)品簡(jiǎn)介

K10A60-VB是一款高性能的N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,專為高電壓和中等電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏源極電壓(VDS)為650V,使其能夠在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。該MOSFET的閾值電壓(Vth)為3.5V,適合在低柵壓條件下快速開啟。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為680mΩ(在VGS為10V時(shí)),這使得K10A60-VB在進(jìn)行高負(fù)載操作時(shí)表現(xiàn)出色,降低了功率損耗。K10A60-VB采用Plannar技術(shù),具有良好的熱性能和可靠性,廣泛應(yīng)用于電源管理、驅(qū)動(dòng)電路和工業(yè)控制等領(lǐng)域。

### K10A60-VB詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO220F
- **配置**: 單N溝道MOSFET
- **漏源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵極電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 680mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 12A
- **技術(shù)**: Plannar

### K10A60-VB應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例

1. **電源供應(yīng)系統(tǒng)**: K10A60-VB非常適合用于高電壓電源管理應(yīng)用,如AC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-DC升壓/降壓電源,能夠提供高效的電能轉(zhuǎn)換,確保穩(wěn)定的輸出電壓。

2. **電動(dòng)機(jī)控制**: 由于其最大漏極電流為12A,該MOSFET可用于電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,適合于電動(dòng)工具、家用電器和工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備,能夠滿足高負(fù)載的驅(qū)動(dòng)需求。

3. **開關(guān)電源模塊**: K10A60-VB可作為開關(guān)電源模塊中的開關(guān)元件,利用其較低的導(dǎo)通電阻來減少開關(guān)損耗,提高效率,廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)電源和LED驅(qū)動(dòng)電路。

4. **逆變器和變頻器**: 該MOSFET適合于逆變器和變頻器應(yīng)用中,通過高電壓和高電流的能力,確保高效能和良好的控制性能,常見于可再生能源系統(tǒng)如太陽能逆變器。

通過其出色的電氣特性和可靠性,K10A60-VB在現(xiàn)代電源管理和驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中具有廣泛的適用性,能夠滿足多樣化的行業(yè)需求。

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