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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K2044-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K2044-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K2044-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

K2044-VB 是一款高壓 **單N溝道** MOSFET,專為各種功率開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該組件采用 **TO220F** 封裝,提供增強(qiáng)的熱性能和堅(jiān)固的機(jī)械設(shè)計(jì)。其 **漏源電壓 (VDS)** 可達(dá) 650V,適合高壓操作。門源電壓 (VGS) 額定為 ±30V,使其能夠在電壓波動(dòng)的環(huán)境中保持穩(wěn)定。MOSFET 的閾值電壓 (Vth) 為 3.5V,確??煽康拈_關(guān)行為。在 VGS=10V 時(shí),其 **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** 為 2560mΩ,能夠處理高達(dá) 4A 的電流。其采用的 **平面技術(shù)** 提供了穩(wěn)定的性能和高效的開關(guān)能力。

---

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:

- **型號(hào)**:K2044-VB
- **封裝**:TO220F
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:650V
- **門源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:2560mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**:4A
- **技術(shù)**:平面
- **工作溫度**:根據(jù)設(shè)計(jì)通常在廣泛的溫度范圍內(nèi)額定。

---

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例:

K2044-VB 特別適用于高壓開關(guān)應(yīng)用和功率轉(zhuǎn)換模塊,因其 650V 的 VDS 額定值。以下是一些應(yīng)用示例:

1. **開關(guān)電源**:由于高壓能力,該 MOSFET 非常適合需要在高電壓水平上可靠開關(guān)的電源應(yīng)用,通常用于 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,在這些場(chǎng)合能有效提升能量效率并降低熱量。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器**:在工業(yè)環(huán)境中,該 MOSFET 可用于電機(jī)控制電路,尤其適用于控制在高壓市電下運(yùn)行的小型電機(jī),如 HVAC 系統(tǒng)或家用電器。

3. **照明鎮(zhèn)流器**:K2044-VB 可用于高壓照明電路,如熒光燈和高強(qiáng)度氣體放電燈鎮(zhèn)流器,作為控制光強(qiáng)度和電源效率的開關(guān)組件。

4. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**:由于其堅(jiān)固的 VDS 額定值,該 MOSFET 也可在可再生能源儲(chǔ)能解決方案的電池管理系統(tǒng)中使用,適合用于充放電控制。

憑借高漏源電壓和可靠的平面技術(shù)設(shè)計(jì),該 MOSFET 是工業(yè)、商業(yè)和能源領(lǐng)域中高壓低電流應(yīng)用的理想選擇。

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